[实用新型]一种主动降温复合瓦

权利要求书

1.一种主动降温复合瓦，包括复合瓦(1)、热电基底(2)，其特征在于，其中热电基底(2)包括上导电层(21)、Bi膜层(22)、Te膜层(23)、下导电层(24)、上导电引线(25)、下导电引线(26)：

所述复合瓦(1)下表面设置有热电基底(2)，热电基底(2)顶部为涂敷在复合瓦(1)下表面的上导电层(21)，上导电层(21)下方设置有Bi膜层(22)和Te膜层(23)，Bi膜层(22)和Te膜层(23)交替排布，且以Bi膜层(22)作为最底层，最底层的Bi膜层(22)下方设置有下导电层(24)；所述上导电层(21)和下导电层(24)分别从左侧引出上导电引线(25)和下导电引线(26)。

2.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述上导电层(21)和所述下导电层(24)为铂铑合金层，厚度为4-6微米。

3.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述热电基底(2)内包含五层Bi膜层(22)和四层Te膜层(23)。

4.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述Bi膜层(22)厚度为10-20微米，Bi膜层(22)是通过磁控溅射生长形成，生长条件为真空度10^-6Pa，氩气通入流量为0.4-0.8mL/分钟，磁控溅射时间7分钟，直流电源供电，功率10W。

5.根据权利要求1所述的一种主动降温复合瓦，其特征在于，所述Te膜层(23)厚度为40微米，Te膜层(23)是通过磁控溅射生长形成，生长条件为真空度10^-6Pa，氩气通入流量为0.4-0.8mL/分钟，磁控溅射时间10-15分钟，射频电源供电，功率25W。