[实用新型]背照式图像传感器

权利要求书

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：

半导体材料层；

位于半导体材料层的光电二极管；

转移晶体管、浮置扩散区、源跟随晶体管、复位晶体管；

其中，所述光电二极管为P型掺杂区域；所述源跟随晶体管为鳍式场效应晶体管，所述源跟随晶体管的沟道区区域为横梁结构，所述横梁结构具有顶面和两个侧面，源跟随晶体管的栅极覆盖所述顶面和两个侧面的至少其中一面；所述源跟随晶体管为NMOS晶体管。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管的横梁结构底部对应的半导体材料层具有P型掺杂区域，所述P型掺杂区域与光电二极管的P型掺杂区域之间由N型掺杂区域隔离。

3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，相邻光电二极管之间由N型掺杂区域隔离。

4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述光电二极管的上部具有N型钉扎层。

5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述浮置扩散区为横梁结构，所述浮置扩散区耦接于源跟随晶体管的栅极。