[实用新型]字线电压产生电路和编程装置

说明书

公开了一种用于存储器的字线电压产生电路以及编程装置，存储器包括成阵列排列的多个存储单元，其中每一行存储单元的栅极耦合到对应字线，其中，字线电压产生电路包括：电荷泵，用于基于第一时钟信号产生字线电压信号；第一时钟模块，用于提供第一时钟信号；选择模块，用于将字线电压信号提供至存储器的指定字线；以及调节模块，用于判断字线电压信号是否符合预设的条件，如果是则进入工作模式，否则进入调节模式，在调节模式下，关闭选择模块并控制第一时钟模块调节第一时钟信号，在工作模式下，禁止第一时钟模块调节第一时钟信号并开启选择模块。精确控制存储单元的栅极电压，实现对存储单元阈值电压的精确调节。

技术领域

本实用新型涉及闪存存储器技术领域，更具体地涉及一种用于存储器的字线电压产生电路以及编程装置。

背景技术

存储器是一种用来存储信息或数据的半导体元件，随着计算机微处理器的发展，通过软件执行的程序与操作也随之增加。因此，具有高存储容量存储器的需求也逐渐增加。

存储器通常分为易失性存储器(volatile memory)和非易失性存储器(non-volatile memory)。易失性存储器在断电状态下会丢失存储的数据，其示例包括静态RAM(静态随机存取存储器)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。相反地，非易失性存储器在断电状态下仍然保留存储的数据，其示例包括只读存储器(ROM)、可操作ROM (PROM)、电阻式RAM(RERAM)、铁电RAM(FRAM)等。

在非易失性存储器中，尤其是闪存存储器已经由于其固有的操作优势(诸如高存储容量、低噪声特性、低功耗和运行速度块)而被广泛应用。

根据存储单元阵列的结构，闪存存储器分为NOR闪存存储器和 NAND闪存存储器。

为了实现高存储容量存储器，一方面需要减小单个存储单元器件的体积，另一方面是在一个存储单元中存储多比特数据。为了实现在一个存储单元中存储多比特数据，就需要对存储单元的阈值电压的精确调节。图1示出根据现有技术的编程方法得到的存储单元的阈值电压分布示意图，水平轴表示存储单元的阈值电压，垂直轴表示存储单元的数量。如图1所示，根据现有技术的编程方法无法实现对存储单元的阈值电压的精确调节，因此得到的存储单元的阈值电压的分布宽度较宽，在存储多比特数据时不同电平的阈值电压分布可能会重叠，在存储单元中出现错误。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种用于存储器的字线电压产生电路和编程装置，可以精确控制存储单元的栅极电压，最终实现对存储单元阈值电压的精确调节。

根据本实用新型的一方面提供一种用于存储器的字线电压产生电路，存储器包括成阵列排列的多个存储单元，其中每一行存储单元的栅极耦合到对应字线，其中，字线电压产生电路包括：电荷泵，用于基于第一时钟信号产生字线电压信号；第一时钟模块，用于提供第一时钟信号；选择模块，用于将字线电压信号提供至存储器的指定字线；以及调节模块，用于判断字线电压信号是否符合预设的条件，如果是则进入工作模式，否则进入调节模式，在调节模式下，关闭选择模块并控制第一时钟模块调节第一时钟信号，在工作模式下，禁止第一时钟模块调节第一时钟信号并开启选择模块。

优选地，调节模块包括：比较模块，将字线电压信号的爬升速度与参考电压信号的爬升速度进行比较，并输出比较结果信号；逻辑模块，用于当比较结果信号指示字线电压信号的爬升速度不等于参考电压信号的爬升速度时，关闭选择模块并控制第一时钟模块调节第一时钟信号，当比较结果信号指示字线电压信号的爬升速度等于参考电压信号的爬升速度时，禁止第一时钟模块调节第一时钟信号并开启选择模块。