[实用新型]一种快速驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种快速驱动电路，包括电流源开关、电阻R12、电阻R9、电阻R15、限流电阻Rd、电阻R18、MOS管Q5、MOS管Q8、MOS管Q11、电容C3、二极管D3和稳压二极管D6。也可用三极管Q1代替MOS管Q5，用三极管Q2代替MOS管Q8。本实用新型在原有的电路上增加电流泄放电路，能够使A点寄生电荷迅速放电，电压迅速降低，MOS管Q11迅速关端，然后通过电阻R18放电放到0V。

技术领域

本实用新型涉及一种快速驱动电路，属于电池保护的开关驱动领域。

背景技术

传统的电池保护的开关驱动电路如图1所示，该电路是由Vdd供电，经过开关控制信号来控制MOS管Q11的关断或者导通，为了减小功耗常采用一个低功耗电流源和大电阻产生足够高的电压使得Q11充分导通，减小导通电阻。关断时，电流源关断，节点A的电荷放电，Q11的管子很大，寄生电容很大，导致A电电压降低的速率慢，这样对一些要求快速关断的场合就不适合了。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种快速驱动电路。

为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

一种快速驱动电路，包括电流源开关、电阻R12、电阻R9、电阻R15、限流电阻Rd、电阻R18、MOS管Q5、MOS管Q8、MOS管Q11、电容C3、二极管D3和稳压二极管D6；

电流源开关的输入端连接Vdd，电流源开关的输出端分别与电阻R12的一端、电阻R9的一端以及MOS管Q5的G极连接，电阻R12的另一端连接二极管D3的阳极，二极管D3的阴极分别与MOS管Q11的G极和MOS管Q5的S极连接，MOS管Q5的D极分别与电阻R15的一端以及MOS管Q8的G极连接，电阻R15的另一端以及电阻R9的另一端均与MOS管Q11的S极连接，MOS管Q8的D极通过限流电阻Rd与MOS管Q11的G极连接，MOS管Q8的S极与MOS管Q11的S极连接，电容C3的两端分别与MOS管Q11的G极和S极连接，电阻R18的两端分别与MOS管Q11的G极和S极连接，稳压二极管D6的阳极和阴极分别与MOS管Q11的S极和G极连接。

MOS管Q8的阈值电压V_t不大于设定的阈值K1；定义MOS管Q11的G极、二极管D3的阴极、MOS管Q5的S极、稳压二极管D6的阴极、限流电阻Rd的一端、电阻R18的一端以及电容C3的一端连接在一起的点为A点，A点的放电范围为Vdd~GND+V_t。

R_Rd>> R_Q8，A点电压下降的时间常数由R_Rd*CA决定；R_Rd为限流电阻Rd的阻值，R_Q8为MOS管Q8的导通电阻阻值，CA包含MOS管Q11的G极电容及A点寄生电容。

一种快速驱动电路，包括电流源开关、电阻R12、电阻R9、电阻R15、限流电阻Rd、电阻R18、三极管Q1、三极管Q2、MOS管Q11、电容C3、二极管D3和稳压二极管D6；

电流源开关的输入端连接Vdd，电流源开关的输出端分别与电阻R12的一端、电阻R9的一端以及三极管Q1的B极连接，电阻R12的另一端连接二极管D3的阳极，二极管D3的阴极分别与MOS管Q11的G极和三极管Q1的E极连接，三极管Q1的C极分别与电阻R15的一端以及三极管Q2的B极连接，电阻R15的另一端以及电阻R9的另一端均与MOS管Q11的S极连接，三极管Q2的C极通过限流电阻Rd与MOS管Q11的G极连接，三极管Q2的E极与MOS管Q11的S极连接，电容C3的两端分别与MOS管Q11的G极和S极连接，电阻R18的两端分别与MOS管Q11的G极和S极连接，稳压二极管D6的阳极和阴极分别与MOS管Q11的S极和G极连接。

三极管Q2的阈值电压V_be不大于设定的阈值K2；