[实用新型]一种射频感应耦合等离子体中和器有效
申请号: | 201721863054.6 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207993797U | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 | 申请(专利权)人: | 核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高安娜 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频感应耦合等离子体 中和器 等离子体放电腔 放电等离子体 容性耦合 电子束 本实用新型 射频耦合 射频 天线 低温等离子体技术 阴极 陶瓷绝缘件 阳极 高压绝缘 工作稳定 屏蔽外壳 气路装置 有效减少 有效屏蔽 杂质污染 无电极 屏蔽 溅射 内壁 束流 污染 离子 抽取 洁净 容纳 | ||
1.一种射频感应耦合等离子体中和器,包括:用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔(1)、高压绝缘气路装置(2)、射频耦合天线(4)、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极(3)、屏蔽外壳(10)和用于从等离子体放电腔(1)中抽取电子束的阳极(7),其特征在于:
所述等离子体放电腔(1)为中空结构,其上端设有进气孔,下端设有电子束引出孔,等离子体放电腔(1)安装在屏蔽外壳(10)内部,屏蔽外壳(10)内部中间位置固定安装有固定法兰(12),等离子体放电腔(1)安装在固定法兰(12)上;
等离子体放电腔(1)上端设有气体入口,下端设有电子束引出口,屏蔽外壳(10)上端设置有气体入口,位置和等离子体放电腔(1)上端的气体入口位置对应,屏蔽外壳(10)上端气体入口和等离子体放电腔(1)上端进气孔之间设置有气路,屏蔽外壳(10)上端气体入口和等离子体放电腔(1)上端进气孔之间的部分的气路上装有高压绝缘气路装置(2);
圆柱形陶瓷等离子体放电腔(1)外壁加工有螺旋形槽,用于安装射频耦合天线(4),同时也提高了射频耦合天线(4)每匝间的绝缘强度,在等离子体放电腔(1)外壁下端的环形槽处设置有引线管路,引线管路穿过固定法兰(12)后再穿过屏蔽外壳(10),使得射频电源(6)通过匹配网络(5)与射频耦合天线(4)相连;
阴极(3)位于等离子体放电腔(1)内部,在横切射频耦合天线(4)卷绕方向上有一个窄缝,阴极(3)窄缝处设有放电触发针(11);
等离子体放电腔(1)内阴极(3)和位于等离子体放电腔(1)下端的阳极构成射频感应耦合等离子体中和器电子束的引出系统,阳极(7)上开有引出孔,且该引出孔与等离子体放电腔(1)下端引出孔对正,其中阳极(7)和阴极(3)之间通过阳极电源(8)施加正偏压,阴极(3)和地之间通过阴极电源(9)施加负偏压。
2.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:所述等离子体放电腔(1)采用低介质损耗的绝缘介质构成。
3.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:所述阴极(3)呈筒形。
4.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:所述阴极(3)紧贴等离子体放电腔(1)内壁。
5.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:所述阴极(3)窄缝处设置的放电触发针(11),射频电源(6)、匹配网络(5)、射频耦合天线(4)、等离子体放电腔(1)、阴极(3)和高压绝缘气路装置(2)共同构成等离子体放电起辉维持系统。
6.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:所述等离子体放电腔(1)可以为中空长方体结构,也可以为中空圆柱体结构。
7.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:所述屏蔽外壳(10)和等离子体放电腔(1)上设置有两组对应的气体入口,屏蔽外壳(10)和等离子体放电腔(1)之间设置的气路数量为两路。
8.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:所述阳极(7)和等离子体放电腔(1)下端开设有多组相互对应的引出孔。
9.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:阳极(7)和阴极(3)之间通过阳极电源(8)施加0-30V正偏压。
10.如权利要求1所述的一种射频感应耦合等离子体中和器,其特征在于:阴极(3)和地之间通过阴极电源(9)施加0-70V负偏压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司,未经核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721863054.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。