[实用新型]一种可循环的环保太阳能电池有效
申请号: | 201721864083.4 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207868216U | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 俞俏滟;李峥 | 申请(专利权)人: | 俞俏滟 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/076;H01L31/054 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 750021 宁夏回族自治区银*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 一端连接 可循环 吸光膜 本实用新型 电极 激光槽 下电极 太阳能电池领域 环保 电极外表面 半导体层 光电转换 激光蚀刻 依次连接 薄膜层 聚光膜 通光孔 多晶 覆盖 聚光 | ||
本实用新型公开了一种可循环的环保太阳能电池,包括P‑I‑N结;P‑I‑N结由P型层、I型层和N型层依次连接而成;P型层外表面设置有下电极,P型层另一端连接I型层,I型层另一端连接N型层,N型层另一端外表面覆盖有吸光膜,吸光膜另一端连接上电极,上电极外表面覆盖有聚光膜;P型层和N型层均为半导体层,I型层为多晶Si薄膜层,P型层靠近下电极一侧和N型层靠近吸光膜一侧分别有用激光蚀刻的P型激光槽和N型激光槽,上电极上还均匀分布通光孔;本实用新型通过光电转换新材料、P‑I‑N结和聚光技术等,实现了新型的可循环的环保太阳能电池,结构新颖,设计科学,适合在太阳能电池领域推广使用。
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,尤其是涉及一种可循环的环保太阳能电池,涉及电力循坏环保技术领域。
背景技术
近几年来,随着石油,煤、天然气等矿物能源的逐步消耗,世界各国已经明显地将能源置于社会发展的首要地位。我国剩余可采资源保证度只有129.7年。此外,传统能源的开发利用造成的环境污染问题和生态破坏问题也逐渐显现。太阳光是取之不尽、用之不竭的清洁能源,在外太空探测的过程中,太阳能是航天器能获得的唯一的可再生能源。自2O世纪80年代以来光伏产业得到了迅速发展,全球光伏市场每年以30~4O%的速度持续高速增长。我国广大西部太阳光照充足,人口众多,7000万人生活在无电地区,因此太阳能光伏发电在我国的发展前景非常好。目前太阳能的转换效率仅有10%-20%,其余均以热能形式散发。太阳能电池具有良好的环保性能,节能性能,具有可循坏性,设计一种可循坏的环保太阳能电池,进一步增加太阳能的利用效果,更加符合现代社会的生产需要。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服电力维护设备的缺陷,提供一种可循环的环保太阳能电池,从而解决上述问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种可循环的环保太阳能电池,包括P-I-N结:所述P-I-N结由P型层、I型层和N型层依次连接而成;所述P型层外表面设置有下电极,所述P型层另一端连接I型层,所述I型层另一端连接N型层,所述N型层另一端外表面覆盖有吸光膜,所述吸光膜另一端连接上电极,所述上电极外表面覆盖有聚光膜;所述P型层和所述N型层均为半导体层,所述I型层为多晶Si薄膜层,所述P型层靠近所述下电极一侧和所述N 型层靠近吸光膜一侧分别有用激光蚀刻的P型激光槽和N型激光槽,所述上电极上还均匀分布通光孔。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述P型层为氮化铟材料的半导体层。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述N型层为氮化镓材料的半导体层。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述P型激光槽和所述N型激光槽可以为表面用腐蚀等方法处理成具有很多金字塔型的绒面状结构或具有倒金字塔型的沟槽结构,或具有V型的沟槽结构。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述聚光膜采用的是聚光式菲涅耳透镜,由普通丙烯酸塑料模压制成。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述通光孔均匀分布在上电极表面,且通光孔直径为2到4毫米。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型通过光电转换新材料、P-I-N结和聚光技术等,实现了新型的可循环的环保太阳能电池,结构新颖,设计科学,环保节能,适合在太阳能电池领域推广使用。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型工作原理图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的