[实用新型]单晶制绒节水系统有效
申请号: | 201721865883.8 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207602607U | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 王柯 | 申请(专利权)人: | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;张仕婷 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 本实用新型 副槽 水槽 单晶制绒 节水系统 酸洗槽 再利用 水泵 机台 纯水用量 节能环保 节能减排 酸洗效果 效率提升 依次排列 制绒清洗 纯水量 碱洗槽 弱碱洗 废酸 废物 电池 排污 | ||
本实用新型涉及一种单晶制绒节水系统,属于电池制绒清洗技术领域。其包括碱洗槽、水槽和酸洗槽,三者依次排列;还包括副槽和水泵;所述副槽与酸洗槽连接,水槽通过水泵与副槽连接。本实用新型能够提高酸洗效果,为弱碱洗对于效率提升的成果保驾护航;还能够大幅度减少纯水用量,废物再利用,节能环保。本实用新型使得机台用纯水量从每天140T下降到75T,约合经济效益每年近5万元,废酸再利用减少了排污压力,能够进行节能减排。
技术领域
本实用新型涉及一种单晶制绒节水系统,具体涉及一种单晶PERC电池制绒清洗系统,属于电池制绒清洗技术领域。
背景技术
清洗制绒作为太阳电池生产中的第一道工序,其主要作用有两个,一是祛除硅片表面的杂质损伤层,损伤层是硅片切割过程中形成的表面10微米左右的晶格畸变,具有较高的表面复合;二是形成陷光绒面结构,即光线照射在硅片表面通过多次折射,达到减少反射率的目的。
目前,晶体硅太阳电池的绒面一般是通过化学腐蚀的方法制作完成,针对不同的硅片类型,有两种不同的化学液体系。一种是单晶硅绒面制作,此反应为各向异性反应,也是形成金子塔绒面的原因,另一种是多晶硅绒面制作,此反应为各向同性反应,形成蠕虫状绒面。制绒后,单晶的反射率可降至10%,多晶可降至15%。
其中,单晶硅制绒设备一般包括制绒槽、碱洗槽、水洗槽、喷淋槽和酸洗槽等,设备可根据不同的清洗工艺配置相应的清洗单元,清洗功能单元模块化,各部分有独立的控制单元,可随意组合,其结构紧凑,净化占地面积小,造型美观实用,操作符合人机工程原理。
目前的单晶制绒工序为了提升效率增加了弱碱洗环节,导致酸碱洗槽之间的水槽pH不断上升,进而直接影响到酸洗效果。现有的解决方案是通过增大水槽的纯水溢流量强行维持水槽pH。但水槽依然呈现弱碱性,硅片进入酸洗槽依然会影响酸洗效果,解决不彻底,另外纯水耗用量极大,已经对工厂的排放指标产生威胁。
发明内容
本实用新型的目的是克服上述不足之处,提供一种单晶制绒节水系统,其能够大幅度减少纯水用量,废物再利用,节能环保。
本实用新型的技术方案,一种单晶制绒节水系统,包括碱洗槽、水槽和酸洗槽,三者依次排列;还包括副槽和水泵;所述副槽与酸洗槽连接,水槽通过水泵与副槽连接。
还包括第一溢流管和第二溢流管;所述副槽通过第一溢流管与酸洗槽连接;副槽一侧还设有第二溢流管。所述第二溢流管与废液池连接。
还包括光电液位感应器;所述光电液位感应器设置于副槽上,光电液位感应器控制水泵的开关。
本实用新型的有益效果:本实用新型能够提高酸洗效果,为弱碱洗对于效率提升的成果保驾护航;还能够大幅度减少纯水用量,废物再利用,节能环保。本实用新型使得机台用纯水量从每天140T下降到75T,约合经济效益每年近5万元,废酸再利用减少了排污压力,能够进行节能减排。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
附图标记说明:1、碱洗槽;2、水槽;3、酸洗槽;4、副槽;5、水泵;6、第一溢流管;7、第二溢流管;8、光电液位感应器。
具体实施方式
如图1所示,一种单晶制绒节水系统,包括碱洗槽1、水槽2和酸洗槽3,三者依次排列;还包括副槽4和水泵5;所述副槽4与酸洗槽3连接,水槽2通过水泵5与副槽4连接。
还包括第一溢流管6和第二溢流管7;所述副槽4通过第一溢流管6与酸洗槽3连接;副槽4一侧还设有第二溢流管7。
所述第二溢流管7与废液池连接。
还包括光电液位感应器8;所述光电液位感应器8设置于副槽4上,光电液位感应器8控制水泵5的开关。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的