[实用新型]上电复位电路

说明书

本实用新型公开一种上电复位电路，其包括电流产生电路、电流镜电路和电流比较电路，电流产生电路包括：MOS晶体管对和电阻对，用于产生电流信号，电流镜电路用于处理产生的电流信号；电流比较电路用于产生上电复位信号。本实用新型采用拓扑结构，使输出的上电复位信号随环境温度的变化具有补偿特性，并且电源电压翻转点仅与单类型的有源器件比值和电阻器件比值相关，大大降低了在大规模生产过程中由于器件离散型因素和实际工作过程中的环境温度变化因素导致的电源电压翻转点偏移问题，性能可靠，低功耗。

技术领域

本实用新型属于集成电路电源检测领域，具体涉及一种上电复位电路。

背景技术

上电复位电路用于复位数字电路的状态机使其从确定状态初始。对于模拟和混合信号电路，它能够用作启动信号来强制电路从一个确定的状态启动。

一些传统的上电复位电路用RC延迟来产生上电信号，此种方式并不能适用于上电速度变化的电源。另一些用两种类型的MOSFET参数来反应电源电压值而导致大规模生产中的参数漂移。更进一步的说，它可能会导致更高的电源电压翻转点，不适合于低电压应用。一些老的电路用参考模块设定一个准确的电源电压翻转点电压值。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提出了一种上电复位电路，采用拓扑结构，使输出的上电复位信号随环境温度的变化具有补偿特性，并且电源电压翻转点仅与单类型的有源器件比值和电阻器件比值相关，大大降低了在大规模生产过程中由于器件离散型因素和实际工作过程中的环境温度变化因素导致的电源电压翻转点偏移问题。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种上电复位电路包括电流产生电路，包括：MOS晶体管对和电阻对，电流产生电路用于产生电流信号；MOS晶体管对包括：两个成比例的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极一同接在第一电源线上，第一MOS晶体管的栅极通过第一电阻的一端与第二MOS晶体管的栅极连接，第一MOS晶体管的漏极与第一电阻的一端相连；电阻对包括：两个成比例的第一电阻和第二电阻，第一电阻接在第一MOS晶体管的栅极和第二MOS晶体管的栅极之间，第二电阻接在第一电阻不与第一MOS晶体管的漏极连接的一端和第二电源线之间；电流镜电路，用于处理产生的电流信号；电流比较电路，用于产生上电复位信号。

本实用新型的一个特性为：产生一个与电源电压相关联的电流翻转点。电流产生电路包括两个MOS晶体管，他们的源极接在相同的第一电源线上，他们的栅极接由第一电阻隔开，第二电阻接在第一电阻不与第一MOS晶体管的漏极连接的一端和第二电源线之间，使电流值和电源电压相关联并完成启动功能。

当电源电压低时，电流对中的两个电流都很小，那么流过电阻的电流也很小。两个MOS晶体管的栅极到源极电压几乎相同，宽长比大的MOS晶体管将流过较大的电流。当电源电压升高时，流过MOS晶体管栅极之间电阻的电流增加。相应的，成比例的MOS晶体管对的栅极到源极电压差增加。在电源电压上升时有较小宽长比的MOS晶体管将有较大的栅极到源极电压导致更快的电流增加速度。在期望的电压翻转点，有较小宽长比的MOS晶体管与有较大宽长比的晶体管流过相同电流。当电源电压上升到高于翻转点电压时，有较小宽长比的MOS晶体管流过更多的电流，电流比较电路输出产生一个上电复位信号。

相应的，本实用新型的另一个特性是补偿温度导致的电源电压翻转点偏移。当温度上升时，MOS晶体管的栅极到源极电压变小导致电流对中流过电阻的电流变大。另一方面，电流对中的另一个电流由于成比例的MOS晶体管对的栅极到源极电压差的正温度系数也会增加。温度补偿由设定MOS晶体管的宽长比和电阻的比来实现。

在上述技术方案的基础上，还可做如下改进：

作为优选的方案，电流镜电路包括：第一MOS晶体管、第三MOS晶体管、第四MOS晶体管和第五MOS晶体管，第一MOS晶体管和第三MOS晶体管镜像连接，第四MOS晶体管和第五MOS晶体管镜像连接。