[实用新型]一种芯片电性恢复装置有效
申请号: | 201721868558.7 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207743204U | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 庄丰安 | 申请(专利权)人: | 深圳宜特检测技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 | 代理人: | 李永华;张广兴 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 恢复装置 芯片表面 芯片电性 芯片 电浆蚀刻 加热台 研磨机 本实用新型 研磨 电触点 去除 加热 蚀刻 电性状态 失效分析 芯片测试 芯片放置 钝化层 氧化层 有效地 移除 沉积 照射 恢复 分析 | ||
1.一种芯片电性恢复装置,其特征在于,所述芯片电性恢复装置包括加热台、UV灯、研磨机以及电浆蚀刻机;芯片放置于所述加热台上,所述加热台对所述芯片进行加热,所述UV灯对所述芯片进行照射,所述芯片经所述加热台与所述UV灯处理后移送至所述研磨机,所述研磨机对所述芯片表面进行研磨以去除所述芯片表面的氧化层,所述芯片经研磨后送至所述电浆蚀刻机,所述电浆蚀刻机对所述芯片表面的电触点进行蚀刻以去除电触点表面的钝化层。
2.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置,其特征在于,所述研磨机包括研磨片和转台,所述研磨片固定在所述转台上且能随着转台的转动而转动,所述芯片固定在研磨片的上方,所述芯片待研磨的一面与所述研磨片接触,所述研磨片通过转动研磨所述芯片。
3.根据权利要求2所述的芯片电性恢复装置,其特征在于,所述研磨机还包括研磨液,所述研磨片对所述芯片进行研磨时,所述研磨液添加至所述芯片与所述研磨片之间。
4.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置,其特征在于,所述加热台对所述芯片进行加热,所述加热台的加热温度为200~300℃,所述加热台对所述芯片加热5~30min。
5.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置,其特征在于,所述UV灯与所述加热台同时对所述芯片进行处理,所述UV灯对芯片的照射时间为5~30min。
6.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置,其特征在于,所述研磨机对所述芯片的表面进行研磨,研磨时间为5~20s。
7.根据权利要求1所述的芯片电性恢复装置,其特征在于,所述电浆蚀刻机蚀刻所述芯片表面的电触点,蚀刻时间为10~60s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造