[实用新型]一种高电压LED封装结构有效
申请号: | 201721869092.2 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207572399U | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 郭经洲;程一龙;王晓哲;李辉 | 申请(专利权)人: | 杭州大晨显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
代理公司: | 杭州橙知果专利代理事务所(特殊普通合伙) 33261 | 代理人: | 李品 |
地址: | 310000 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高电压 光通量 高电压环境 发光 绝缘层 散热器 光电转换效率 本实用新型 负温度系数 取光效率 散热性能 使用寿命 外表面相 芯片热沉 键合层 金丝线 电极 导出 高光 通电 隔离 输出 | ||
本实用新型公开了一种高电压LED封装结构,结构上设有高电压LED封装装置,散热器与高电压LED封装装置的外表面相连接,当高电压LED封装结构在高电压环境工作时,通过高电压LED封装装置来实现单个LED封装结构在高电压工作的效果,通过电极通电来用金丝线给LED灯芯片进行发光,再通过键合层来加强发光的亮度,通过芯片热沉来将热能导出高电压LED封装装置,从而获得较高的发光通量和光电转换效率,该高电压LED封装装置具有在高电压环境下较强的取光效率和散热性能,由于IED灯的发光通量和温度成负温度系数关系,温度越高光输出越少,通过绝缘层来隔离热量防止高温对发光通量的影响,且延长的IED灯的使用寿命,从而可以在高电压的环境下工作。
技术领域
本实用新型是一种高电压LED封装结构,属于LED封装结构领域。
背景技术
现有的发光二极管封装结构一般采用单颗驱动电压在1-6伏特的蓝光晶片,其封装形式是在一个碗杯中固一颗上述的晶片,晶片与基板上的电路层通过金线焊线连接,然后经过封胶等工艺形成一颗LED封装结构,这样,每一颗LED封装结构的驱动电压与晶片驱动电压基本一致,分布在1-6伏特,LED封装结构的驱动电流也根据晶片规格而定,通常有10-700毫安。
现有技术公开了申请号为:201320331121.5的一种LED封装结构,包括底板以及分布在底板上的LED芯片层、导电电极层以及荧光材料层,但是该现有技术在高电压环境工作时,LED封装结构的散热性能不好,导致容易发生短路。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种高电压LED封装结构,以解决现有技术在高电压环境工作时,LED封装结构的散热性能不好,导致容易发生短路的问题。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种高电压LED封装结构,其结构包括杯型套、升降线、电源上盖、电源器、散热器、高电压LED封装装置、支架、灯罩,所述杯型套的外表面与升降线相连接,所述电源上盖内表面与电源器相贴合,所述散热器与高电压LED封装装置的外表面相连接,所述支架与灯罩相连接,所述高电压LED封装装置包括封装透镜、LED灯芯片、键合层、电极、芯片热沉、焊盘、线路板、焊料、绝缘层、金丝线,所述封装透镜的下表面与电极的上表面相贴合,所述封装透镜内设有金丝线,所述LED灯芯片通过金丝线与电极相连接,所述LED灯芯片的下表面与键合层的上表面相贴合,所述键合层嵌入安装与芯片热沉中,所述电极与绝缘层的外表面相贴合,所述电极的下表面与焊料的上表面相连接,所述芯片热沉的外表面与绝缘层的外表面相贴合,所述芯片热沉的下表面与线路板的上表面相贴合,所述线路板的上表面与焊盘的下表面相焊接,所述焊料的下表面与焊盘的上表面相焊接,所述封装透镜的内表面设有LED灯芯片,所述线路板的下表面与散热器相连接。
进一步地,所述升降线与电源上盖的外表面相连接,所述电源器的外表面与散热器相贴合。
进一步地,所述高电压LED封装装置与支架相连接,所述电源器的侧面设有升降线。
进一步地,所述灯罩的侧面设有高电压LED封装装置。
进一步地,所述电源上盖为圆柱体结构。
进一步地,所述电源上盖为铝合金制成的,质量较轻。
进一步地,所述杯型套为铸铁制成的,耐磨性较好。
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