[实用新型]DFB激光器温控电路

权利要求书

1.一种DFB激光器温控电路，其特征在于：包括与恒流源电路连接的电阻转换电压电路，电阻转换电压电路采集设定温度电阻HR1、与DFB控制器连接的热敏电阻NTC的电压值，分别记为设定温度电压Vset、测量温度电压Vntc输入至温度测量求差电路；温度测量求差电路，求出设定温度电压Vset与测量温度电压Vntc之间的差值电压Vdec输入至PI参数调节电路；PI参数调节电路，对差值电压Vdec进行比例放大、积分运算，消除系统误差，随后输出调节电压Vctr；MOSFET驱动控制电路，接收调节电压Vctr进行转换输出控制电流I至半导体制冷/制热模块TEC；半导体制冷/制热模块TEC对DFB激光器实施制冷或制热。

2.根据权利要求1所述的DFB激光器温控电路，其特征在于：所述的恒流源电路包括相互并联的电容C28、电解电容EP3、基准电压源D100，+12V电压源依次与电阻R49、精密电阻LR11、电阻R46、可调电阻HR2、电阻R41、地线GND连接，基准电压源D100的两端分别与精密电阻LR11的输入端、可调电阻HR2的输出端连接；精密电阻LR11的输入端与精密电阻LR10连接，精密电阻LR10的输出端分别接入MOSFET管Q6、运算放大器U5-2的负极，同时精密电阻LR10的输出端依次通过电容C21、电阻R44接入MOSFET管Q6，MOSFET管Q6的输出端与电阻R43连接，精密电阻LR11的输出端接入运算放大器U5-2的正极；精密电阻LR11的输入端与精密电阻LR12连接，精密电阻LR12的输出端分别接入MOSFET管Q5、运算放大器U5-1的负极，同时精密电阻LR12的输出端依次通过电容C19、电阻R47接入MOSFET管Q5，MOSFET管Q5的输出端与电阻R45连接，精密电阻LR11的输出端接入运算放大器U5-1的正极；+12V电压源依次与电容C18、地线GND连接，电容C18的输入端与运算放大器U5-1连接，-12V电压源依次与电容C20、地线GND连接，电容C20的输入端与运算放大器U5-1连接。

3.根据权利要求1所述的DFB激光器温控电路，其特征在于：所述的电阻转换电压电路包括设定温度电阻HR1、热敏电阻NTC，设定温度电阻HR1的一端与地线GND连接，设定温度电阻HR1的另一端与电阻R43的输出端连接，同时接入运算放大器U8-1的正极，-12V电压源依次与电容C27、地线GND连接，电容C27的输入端与运算放大器U8-1连接，运算放大器U8-1的负极输出设定温度电压Vset；热敏电阻NTC的一端与地线GND连接，热敏电阻NTC的另一端与电阻R45的输出端连接，同时接入运算放大器U8-2的正极，+12V电压源依次与电容C23、地线GND连接，电容C23的输入端与运算放大器U8-2连接，运算放大器U8-2的负极输出测量温度电压Vntc。

4.根据权利要求1所述的DFB激光器温控电路，其特征在于：所述的温度测量求差电路包括精密电阻LR9、LR7，设定温度电压Vset、测量温度电压Vntc分别输入至精密电阻LR9、LR7，精密电阻LR9的输出端同时接入精密电阻LR6、运算放大器U14-B的负极，精密电阻LR7的输出端同时接入精密电阻LR8、运算放大器U14-B的正极，精密电阻LR8的输出端与地线GND连接，精密电阻LR6的输出端与运算放大器U14-B的输出端连接输出差值电压Vdec。