[实用新型]具有低功率SRAM保持模式的设备

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

第一多个存储器元件，所述第一多个存储器元件中的每个存储器元件耦合到上轨道和第一节点；

第二多个存储器元件，所述第二多个存储器元件中的每个存储器元件耦合到第二节点和下轨道；

第一开关，其耦合在所述第一节点和所述第二节点之间；

第二开关，其耦合在所述第一节点和所述下轨道之间；

第三开关，其耦合在所述第二节点和所述上轨道之间；

第四开关，其耦合在所述第一节点与是在所述下轨道上方的一个二极管压降的电压之间；以及

第五开关，其耦合在所述第二节点与是在所述上轨道下方的一个二极管压降的电压之间。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一开关包括具有耦合到所述第一节点的漏极、耦合到所述第二节点的源极和经耦合以接收指示保持模式的第一信号的栅极的n型金属氧化物硅晶体管即NMOS晶体管。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中所述第二开关包括第二NMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管具有耦合到所述第一节点的漏极、耦合到所述第三NMOS晶体管的漏极的源极以及经耦合以接收指示功能模式的第二信号的栅极，所述第三NMOS晶体管具有耦合到所述下轨道的源极和经耦合以接收与所述第一信号相反的第三信号的栅极。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述第三开关包括第一p型金属氧化物硅晶体管即PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有耦合到所述第二节点的漏极，耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极的源极以及经耦合以接收与所述第二信号相反的第四信号的栅极，所述第二PMOS晶体管具有耦合到所述上轨道的源极和经耦合以接收与所述第三信号相反的第五信号的栅极。

5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述第四开关包括作为二极管耦合的所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管具有耦合到所述第一节点的漏极和耦合到所述第三NMOS晶体管的漏极的源极。

6.根据权利要求5所述的存储器阵列，其中所述第五开关包括作为二极管耦合的所述第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管具有耦合到所述第二节点的漏极和耦合到所述第二PMOS晶体管的漏极的源极。

7.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中所述第一多个存储器元件和第二多个存储器元件中的位单元包括静态随机存取存储器的六晶体管位单元。

8.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中所述第一多个存储器元件和第二多个存储器元件中的每个存储器元件耦合到第一位线对。

9.根据权利要求6所述的存储器阵列，其中所述第一多个存储器元件堆叠在所述第二多个存储器元件的顶部上。

10.一种集成电路，其包括：

第一多个静态随机存取存储器位单元即第一多个SRAM位单元，所述第一多个SRAM位单元中的每个位单元耦合到上轨道、第一节点和第一位线对；

第二多个SRAM位单元，所述第二多个SRAM位单元中的每个位单元耦合到第二节点、下轨道以及第二位线对；以及

开关电路，其耦合到所述第一节点和所述第二节点，当所述第一多个SRAM位单元和第二多个SRAM位单元处于保持模式时，所述开关电路操作以将所述第一节点耦合到所述第二节点。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中当所述第一多个SRAM位单元和所述第二多个SRAM位单元处于功能模式时，所述开关电路进一步操作以将所述第一节点耦合到所述下轨道并将所述第二节点耦合到所述上轨道。