[实用新型]一种MWT太阳能电池片的正面电极结构有效
申请号: | 201721871065.9 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN207676918U | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 李质磊;安欣睿;逯好峰;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 211800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅 电极点 副栅 太阳能电池片 正面电极结构 本实用新型 载流子 载流子收集效率 电池转换效率 最小重复单元 周期性结构 常规电池 传输距离 对称设置 分次印刷 印刷方向 正面电极 中心设置 排布 网结 栅线 遮光 叠加 垂直 电池 印刷 | ||
本实用新型公开了一种MWT太阳能电池片的正面电极结构,为均匀分布周期性结构,每个正面电极最小重复单元的中心设置电极点,电极点四周设置4条与电极点连接的主栅,所述主栅呈X字形排布,在主栅两侧对称设置若干与主栅连接的副栅,每条主栅两侧的副栅相互垂直。本实用新型在相同遮光面积前提下,缩短了载流子在栅线上的传输距离,从而提高了载流子收集效率和MWT电池转换效率,副栅与印刷方向仅呈0度或90°两个方向,通过分次印刷方式可以与常规电池印刷一致,解决了MWT电池不易叠加无网结技术的问题。
技术领域
本实用新型涉及硅太阳能电池工艺技术领域,具体涉及一种MWT太阳能电池片的正面电极结构。
背景技术
目前,MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面栅线收集的载流子穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。MWT电池片的载流子收集有别于常规电池片,使得MWT电池正面电极图形的设计成为其关键技术之一。
出于对硅片外形和对称原则方面的考虑,MWT电池通常采用N×N均匀分布结构的正面电极结构以达到最佳的载流子收集效果。其中,每个最小正方形正面电极单元的中心对应一个激光孔洞,此电极点通过与其连接的正面栅线将最小正面电极单元中收集的载流子,并穿过电池转移至电池背面正面电极的负极。由此,MWT正面电极图形设计将围绕电极点和周围主栅、副栅的分布上面进行。从MWT技术发展看,正面电极阵列经历4×4→5×5→6×6的发展,并有继续增加的趋势;连接电极点的主栅主要按4、8、12、16的方式排布设计;副栅按等间距直线、弯曲线等方式连接主栅或直接连接电极点。
目前,专利CN201520527578.2公布了一种MWT正面电极图形(图1、图2),正面电极按N×N均匀分布阵列形成正面电极(图1),每个正面电极最小重复单元中心的电极点(图1-1、图2-2)与激光打孔孔洞位置一一对应。连接电极点设置4条十字形图案的主栅线(图2-3),主栅线上连接若干均匀排布的副栅(图2-4),相邻最小电极单元之间的副栅连接形成回字形图案。专利CN201420377891.8公布了一种MWT正面电极图形(图3、图4),每个正面电极最小重复单元中心为电极点,连接电极点设置正6条米字形图案的主栅,主栅线上连接若干均匀排布的副栅。专利CN201420377891.8公布了一种MWT正面电极图形(图5、图6),每个正面电极最小重复单元中心为电极点,连接电极点设置12条主栅,主栅线上连接若干均匀排布的副栅。专利CN201310014390.3公布了一种MWT正面电极图形(图7、图8),每个正面电极最小重复单元中心为电极点,连接电极点设置12条触角栅线,每条弯曲栅线上再分支第二层和第三层栅线。随着MWT电池正面电极阵列电极点数的增加,每个最小单元收集的载流子逐渐降低,从而打破了遮光和载流子收集之间的平衡,使得MWT电池正面电极图形的优化将往降低遮光上倾斜。采用5×5、6×6及以上阵列的正面电极图形,低主栅条数将为设计趋势,这也是专利CN201520527578.2成为目前业内唯一量产MWT电池的正面电极图形主要原因之一,但其图形在主栅和副栅排布上未见得是最优。
实用新型内容
实用新型目的:针对现有技术存在的问题,本实用新型提出一种MWT太阳能电池片的正面电极结构,主栅和副栅排布更优。
技术方案:本实用新型提供一种MWT太阳能电池片的正面电极结构,为均匀分布周期性结构,每个正面电极最小重复单元的中心设置电极点,电极点四周设置4条与电极点连接的主栅,所述主栅呈X字形排布,在主栅两侧对称设置若干与主栅连接的副栅,每条主栅两侧的副栅相互垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的