[实用新型]一种半导体芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201721875145.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207818560U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214400 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属柱 基本体 介电层 再布线金属层 输入/输出端 半导体芯片 封装结构 包封层 上表面 固连 半导体芯片封装 背面保护层 本实用新型 背面设置 垂直区域 芯片焊盘 侧壁 焊球 铜柱 开口 芯片 | ||
1.一种半导体芯片的封装结构，其包括硅基本体（10），所述硅基本体（10）的正面设有钝化层并嵌有芯片焊盘，其钝化层开口露出芯片焊盘的上表面，其特征在于，
在所述硅基本体的上方设置金属柱（20），所述金属柱（20）的高度＞40微米，所述金属柱（20）与芯片焊盘固连,
还包括包封层（40）、介电层（50）和保护层（70），所述包封层（40）包裹金属柱（20）和硅基本体（10）的侧壁，并露出金属柱（20）的上表面，
所述介电层（50）设置在包封层（40）的上表面，并开设介电层开口（501）露出金属柱（20）的上表面，
所述介电层（50）的上表面设置再布线金属层（30）和输入/输出端（31），所述再布线金属层（30）通过介电层开口（501）与金属柱（20）固连，所述输入/输出端（31）设置在金属柱（20）的垂直区域之外，
在所述输入/输出端（31）设置连接件（60），所述保护层（70）填充再布线金属层（30）和介电层（50）的裸露面并露出连接件（60）的上表面；
所述包封层（40）于硅基本体（10）至介电层（50）的厚度H＞40微米；
所述硅基本体（10）的背面设置背面保护层（18）。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述硅基本体（10）的背面与背面保护层（18）之间设置背面金属层（16）。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述连接件（60）为焊球或焊块。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述连接件（60）为Ni/Au层焊盘结构。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述连接件（60）为Cu/Sn层焊盘结构。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述再布线金属层（30）为多层再布线。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构，其特征在于，所述金属柱（20）的材质为铜、锡、镍。
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