[实用新型]一种智慧景区一卡通系统

权利要求书

1.一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，包括数据管理系统、网络系统、停车场道闸模块、门禁模块、自助销售模块和多个RFID卡，所述数据管理系统上设有数据存储设备，所述停车场道闸模块上设有用于读取RFID卡的第一RFID读写装置，所述门禁模块上设有用于读取RFID卡的第二RFID读写装置，所述自助销售模块上设有用于读取RFID卡的第三RFID读写装置，所述数据存储设备通过网络系统分别与第一RFID读写装置、第二RFID读写装置和第三RFID读写装置连接。

2.根据权利要求1所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，所述门禁模块包括酒店房间门禁单元、景区门禁单元和储物柜门禁单元，所述网络系统分别与酒店房间门禁单元、景区门禁单元和储物柜门禁单元连接。

3.根据权利要求1所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，所述自助销售模块包括多个自助销售机，各所述自助销售机上设有处理器、RFID卡读写器和密码输入装置，所述处理器分别与网络系统、RFID卡读写器和密码输入装置连接。

4.根据权利要求1所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，所述网络系统包括互联网和景区局域网，所述数据管理系统分别与互联网和景区局域网连接，所述景区局域网分别与第一RFID读写装置、第二RFID读写装置和第三RFID读写装置连接。

5.根据权利要求4所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，还包括智能终端，所述智能终端通过互联网连接至数据管理系统。

6.根据权利要求5所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，所述停车场道闸模块还包括二维码扫描装置，所二维码扫描装置与网络系统连接。

7.根据权利要求1所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，各所述RFID卡采用有源超高频RFID卡，所述有源超高频RFID卡包括控制电路和射频接口电路。

8.根据权利要求7所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，所述控制电路包括编解码电路、微处理器和存储器，所述微处理器分别与编解码电路和存储器连接。

9.根据权利要求8所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，所述射频接口电路包括功率放大电路、上变频电路、反向调制电路、包络产生电路和检波电路，所述编解码电路的输出端依次通过反向调制电路、上变频电路和功率放大电路的输入端连接，所述包络产生电路的输出端通过检波电路与编解码电路的输入端连接。

10.根据权利要求9所述的一种智慧景区一卡通系统，其特征在于，所述功率放大电路包括第一PNP型双极性晶体管、第一NPN型双极性晶体管、第二NPN型双极性晶体管、第三NPN型双极性晶体管、第二PNP型双极性晶体管、第四NPN型双极性晶体管、第五NPN型双极性晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、可调电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第十七电阻、第十八电阻、第一有极性电容、第一无极性电容、第二有极性电容、第二无极性电容、第三有极性电容和第三无极性电容；

所述第一无极性电容的一端作为功率放大电路的输入端，所述第一无极性电容的另一端分别与第三电阻的一端、第五电阻的一端和第一PNP型双极性晶体管的基极连接，所述第三电阻的另一端分别与第一有极性电容的正极和第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端连接电源，所述第五电阻的另一端和第一有极性电容的负极均接地，所述第一PNP型双极性晶体管的发射极分别与第四电阻的一端和第十一电阻的一端连接，所述十一电阻的另一端与第二有极性电容的正极连接，所述第二有极性电容的负极接地，所述第一PNP型双极性晶体管的集电极的分别与第六电阻的一端和第二NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第二NPN型双极性晶体管的发射极和第六电阻的另一端均接地，所述第二无极性电容连接在第二NPN型双极性晶体管的基极和第二NPN型双极性晶体管的集电极间，所述第二NPN型双极性晶体管的集电极与第二PNP型双极性晶体管的基极连接，所述第二PNP型双极性晶体管集电极通过第十七电阻接地，所述第二PNP型双极性晶体管的集电极通过第十六电阻与第五NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第五NPN型双极性晶体管的发射极接地，所述第五NPN型双极性晶体管的集电极分别与第二PNP型双极性晶体管的发射极和第十五电阻的一端连接，所述第十五电阻的另一端作为功率放大电路的输出端，所述第三无极性电容和第十八电阻串联在功率放大电路的输出端和地之间，所述第二电阻的一端连接电源，所述第二电阻另一端分别与第七电阻的一端和第三有极性电容的正极连接，所述第三有极性电容的负极与第四电阻的另一端连接，所述第七电阻的另一端分别与第一NPN型双极性晶体管的集电极、第三NPN型双极性晶体管的基极和第八电阻的一端连接，所述第一NPN型双极性晶体管的发射极分别与第四电阻的另一端和第二NPN型双极性晶体管的集电极连接，所述第八电阻的另一端与可调电阻的第一端连接，所述可调电阻的第二端与第十电阻的一端连接，所述可调电阻的第三端与第一NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第十电阻的另一端与第一NPN型双极性晶体管的发射极连接，所述第三NPN型双极性晶体管的集电极连接电源，所述第三NPN型双极性晶体管的发射极通过第十二电阻与第四NPN型双极性晶体管的基极连接，所述第四NPN型双极性晶体管的集电极连接电源，所述第三NPN型双极性晶体管的发射极通过第十三电阻与第十五电阻的另一端连接，所述第四NPN型双极性晶体管的发射极通过第十四电阻与第十五电阻的另一端连接。