[实用新型]带立式电容的两片式同步整流二极管

说明书

本实用新型公开了带立式电容的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、立式电容，所述第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述第二框架有两个外置引脚，控制IC芯片固定在第二框架，立式电容固定在第二框架上，立式电容下部为外接线端，上部为内接线端；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、立式电容之间通过键合线连接。带立式电容的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。

技术领域

本实用新型涉及芯片生产领域，尤其是一种带立式电容的两片式同步整流二极管。

背景技术

肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。现有的整流元件肖特基二极管存在整流损耗大转换效率低的问题。

同步整流二极管是由控制IC、功率MOSFET及其附属电路组成，从而实现低损耗整流的新技术。现有同步整流结构元件拙而不巧，尺寸较大，散热困难、引脚纤细反复，对安装使用造成一定的困扰。

实用新型内容

为了解决现有技术的不足，本实用新型提出了带立式电容的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积，排除了易造成不良的结构缺陷。

本实用新型采用如下技术方案：

带立式电容的两片式同步整流二极管，包括第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、立式电容，所述第一框架设有一个外置引脚，MOSFET芯片固定在第一框架上；所述第二框架有两个外置引脚，控制IC芯片固定在第二框架，立式电容固定在第二框架上，立式电容下部为外接线端，上部为内接线端；所述MOSFET芯片、控制IC芯片、立式电容之间通过键合线连接。

进一步地，所述立式电容包括电容基底，所述的电容基底包括上端面和下端面，上端面和下端面的内侧均设有内电极，内电极包括上电极和下电极，上电极和下电极呈立式交错布置，且上电极一端连接上端面，另一端不接触下端面，下电极连接下端面，另一端不接触上端面，上端面和下端面外部设有金属层形成外部端电极，端电极平行于安装面且与内电极连接。

进一步地，所述的电容基底的上端面和下端面内侧蚀刻沟槽，沟槽内填充金属形成内电极。

进一步地，所述的内电极立式交错布置的空隙中设有介电层，介电层和内电极之间形成电容效应。

进一步地，所述的电容基底呈水平方向长宽对等的薄形外观，外层由介质包裹。

进一步地，所述的介电层为电子硅材料或陶瓷材料。

进一步地，所述第一框架、第二框架为铜合金框架。

进一步地，所述第一框架、MOSFET芯片、控制IC芯片、第二框架、立式电容通过键合线焊接成型后封装于塑封体内，构成一个整体的同步整流二极管。

更进一步地，所述第一框架的外置引脚为同步整流二极管的阴极，第二框架的外置引脚为同步整流二极管的阳极，立式电容位于开放式缺口处的引出端为电容接线端。

采用如上技术方案取得的有益技术效果为：

顺应半导体整流器件向轻薄化、小型化、表面贴装的发展趋势，本实用新型研发的紧凑型同步整流结构及其制作方法，通过元件集成、优化结构，排除易造成不良的结构缺陷等手段，达到缩小元件尺寸，简化安装工艺，提高散热性之目的，因此该同步整流结构具有极大的优越性。

带立式电容的两片式同步整流二极管，优化了结构，整合PAD可利用面积(PCB或印刷电路板中的焊盘放入面积)，排除了易造成不良的结构缺陷。