[实用新型]电容器及半导体存储器

说明书

本实用新型涉及一种电容器及半导体存储器，电容器包括设置在绝缘层上的电极支撑结构，电极支撑结构具有电容成型孔，在电容成型孔中和电极支撑结构外部填充上电极填充物，电极支撑结构包括由下至上依次间隔设置的底部支撑层、第一中间支撑层、第二中间支撑层以及顶部支撑层，底部支撑层与第一中间支撑层之间的间距，第一中间支撑层与第二中间支撑层之间的间距均大于第二中间支撑层与顶部支撑层之间的间距。半导体存储器包括上述的电容器。本实用新型提高了支撑结构的强度，使电容器轮廓较垂直化，提高最终形成的半导体存储器的性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种电容器及半导体存储器。

背景技术

电容器作为集成电路中的必要组件之一，在电路中具有电压调整和滤波等功能。电容器的电容与极板的面积以及上电极填充物的介电常数成正比，与上电极填充物的厚度成反比。因此为了获得较大的电容需要在衬底上形成较大深度的电容成型孔，利用电容成型孔侧壁提供主要的极板面积。但是随着半导体器件的尺寸不断减小，电容成型孔深度增大的同时还需要减小电容成型孔开口尺寸，以大幅度的增加电容成型孔的深宽比。如图1所示，在衬底100上形成多个电容成型孔101，而随着电容成型孔101深度的增加，会引起电容成型孔101周围的下电极102弯曲或倒塌的现象，从而使相邻的下电极接触出现短路。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种电容器及半导体存储器，以解决或缓解现有技术中存在的技术问题，至少提供一种有益的选择。

本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

根据本实用新型的一个实施例，提供一种电容器，包括：

衬底，所述衬底上设置绝缘层，所述绝缘层中设置有多个存储节点接触塞；

下电极，包括下电极层及用于支撑所述下电极层的电极支撑结构，所述电极支撑结构设置在所述绝缘层上，所述电极支撑结构具有多个电容成型孔，所述下电极层形成于所述电容成型孔中并接合于所述存储节点接触塞；以及

上电极，包括上电极填充物，所述上电极填充物填充在所述电容成型孔中且覆盖所述电极支撑结构；

其中，所述电极支撑结构包括由下至上依次间隔设置的底部支撑层、第一中间支撑层、第二中间支撑层以及顶部支撑层，所述底部支撑层设置在所述绝缘层的上表面上；所述底部支撑层与所述第一中间支撑层之间的间距以及所述第一中间支撑层与所述第二中间支撑层之间的间距的任一间距均大于所述第二中间支撑层与所述顶部支撑层之间的间距；所述底部支撑层、所述第一中间支撑层、所述第二中间支撑层以及所述顶部支撑层的总厚度不大于所述电极支撑结构由所述顶部支撑层的上表面至所述底部支撑层的下表面的高度的10％。

在一些实施例中，所述顶部支撑层的厚度大于所述第一中间支撑层和所述第二中间支撑层的任一厚度，并且所述第一中间支撑层和所述第二中间支撑层的任一厚度均大于所述底部支撑层的厚度。

在一些实施例中，所述第二中间支撑层设置位置高于所述电极支撑结构一半的高度。

在一些实施例中，所述电容成型孔的位置与所述存储节点接触塞的位置相对应，并且所述电容成型孔的底部开口尺寸大于所述存储节点接触塞的表面尺寸，以使所述下电极层包覆至所述存储节点接触塞的侧面。

在一些实施例中，所述存储节点接触塞的顶部凸出于所述绝缘层的所述上表面。

在一些实施例中，所述底部支撑层的上表面水平设置，所述底部支撑层的下表面凹凸设置。

在一些实施例中，所述上电极还包括上电极层，在所述下电极层和所述上电极层之间设置电容介质层，所述电容介质层覆盖所述下电极层的内表面及外表面。