[实用新型]一种三维POP封装结构

权利要求书

1.一种三维POP封装结构，其特征在于，其包括依次堆叠的至少两层封装体和一高密度柔性电路转接板（102），

所述高密度柔性电路转接板（102）的上方设置若干个封装体Ⅱ（200）、若干个封装体Ⅲ（300），

所述封装体Ⅱ（200）包含封装体Ⅱ芯片单体（203）、BGA焊球（204）、封装体Ⅱ金属凸块（205）、包封材料（206）及封装体ⅡBGA焊球（207）、填充材料（209），封装体Ⅱ芯片单体（203）正面设有相应电路布局及若干个BGA焊球（204），封装体Ⅱ金属凸块（205）设置在封装体Ⅱ芯片单体（203）的四周，其高度为封装体Ⅱ芯片单体（203）与BGA焊球（204）的高度之和，其个数及分布根据实际需要确定；

所述包封材料（206）将封装体Ⅱ芯片单体（203）、封装体Ⅱ金属凸块（205）包封在内，所述包封材料（206）的下表面与BGA焊球（204）及封装体Ⅱ金属凸块（205）的下表面位于同一平面、其上表面与封装体Ⅱ芯片单体（203）的背面、封装体Ⅱ金属凸块（205）的上表面位于同一平面，所述封装体ⅡBGA焊球（207）通过焊接的方式与BGA焊球（204）及封装体Ⅱ金属凸块（205）的下表面实现连接；

所述高密度柔性电路转接板（102）设置在封装体Ⅱ（200）的下方，其通过封装体ⅡBGA焊球（207）与封装体Ⅱ（200）实现连接，所述封装体ⅡBGA焊球（207）间隙通过填充材料（209）进行填充，在高密度柔性电路转接板（102）的另一面设置BGA支撑焊球（110）；

所述封装体Ⅱ（200）的上方设置封装体Ⅲ（300），所述封装体Ⅲ（300）包含封装体Ⅲ芯片单体（301）、封装体Ⅲ金属凸块（302）和封装体ⅢBGA支撑焊球（303），所述封装体Ⅲ芯片单体（301）包括上表面附有芯片电极和相应电路布局，封装体Ⅲ金属凸块（302）与芯片电极连接，将电信号引出，封装体ⅢBGA支撑焊球（303）的一端通过封装体Ⅲ金属凸块（302）与封装体Ⅲ芯片单体（301）实现电信连接；

所述封装体ⅢBGA支撑焊球（303）的另一端与封装体Ⅱ金属凸块（205）的上表面连接，实现封装体Ⅱ（200）和封装体Ⅲ（300）之间的互联。

2.根据权利要求1所述的三维POP封装结构，其特征在于，所述封装体Ⅱ金属凸块（205）的材质包括但不限于铜。

3.根据权利要求1所述的三维POP封装结构，其特征在于，所述封装体Ⅱ金属凸块（205）的高度范围为200~400um。

4.根据权利要求1所述的三维POP封装结构，其特征在于，所述封装体ⅡBGA焊球（207）的个数是BGA焊球（204）和封装体Ⅱ金属凸块（205）的个数之和。