[实用新型]一种蛛网状的MWT电池正面电极结构有效
申请号: | 201721890200.4 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN207676919U | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 李质磊;安欣睿;逯好峰;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 211800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蛛网状 副栅 电极点 主栅 本实用新型 电池正面 电极结构 正面电极 主栅线 正面电极结构 最小重复单元 电池电性能 电流收集 分布图案 激光打孔 孔洞位置 印刷方向 不良率 正电极 重合 断栅 条数 垂直 | ||
本实用新型公开了一种蛛网状的MWT电池正面电极结构,本结构按N×N均匀分布阵列形成正面电极,每个正面电极最小重复单元的中心具有一个电极点,该电极点与激光打孔孔洞位置重合,在电极点四周连接不同条数、不同分布图案的主栅线,所述主栅线上连接副栅,主栅与副栅呈45°角,副栅与副栅垂直呈90°角;每个正电极重复单元呈蛛网状。本实用新型的蛛网状正面电极结构更利于电流收集,且印刷方向与主栅均呈45°角,降低了主栅断栅引起的MWT电池电性能影响和EL不良率的影响。
技术领域
本实用新型涉及一种光伏电池的结构形式,具体涉及一种蛛网状的MWT电池正面电极结构 。
背景技术
目前,MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面栅线收集的载流子穿过电池转移至电池背面,以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的。MWT电池片的载流子收集有别于常规电池片,使得MWT电池正面电极图形的设计成为其关键技术之一。
出于对硅片外形和对称原则方面的考虑,MWT电池通常采用N×N均匀分布结构的正面电极结构以达到最佳的载流子收集效果。其中,每个最小正方形正面电极单元的中心对应一个激光孔洞,此电极点通过与其连接的正面栅线在最小正面电极单元中收集载流子,并通过激光孔洞穿过电池转移至电池背面的贯孔电极。由此,MWT正面电极图形设计将围绕电极点和周围主栅、副栅的分布上面进行。从MWT技术发展看,正面电极阵列经历4×4→5×5→6×6的发展,并有继续增加的趋势;连接电极点的主栅主要按4、8、12、16的方式排布设计;副栅按等间距直线、弯曲线等方式连接主栅或直接连接电极点。
经检索,中国专利文献CN201520527578.2公布了一种树枝状的MWT正面电极图形,如图1和图2所示,正面电极按N×N均匀分布阵列形成正面电极,每个正面电极最小重复单元中心的电极点1与激光打孔孔洞位置重合。连接电极点设置4条十字形图案的主栅线3,主栅线3上连接若干均匀排布的副栅4和5,相邻最小电极单元之间的副栅4和5连接形成回字形图案。该发明作为目前业内唯一量产MWT电池的正面电极图形,其在保证低遮光面积的同时,降低了串联电阻,从而提高了MWT电池的转换效率并降低了成本。
中国专利文献CN201420377891.8公布了一种MWT正面电极图形,如图3和图4所示,每个正面电极最小重复单元中心为电极点,连接电极点设置8条米字形图案的主栅,主栅1线上连接若干均匀排布的副栅2。
上述现有的电极图形,由于副栅和主栅连接呈树枝形状,在主栅的同一位置两侧分别连接两条副栅,并与主栅呈一定的角度,丝网印刷时印刷方向与部分主栅垂直,与部分主栅水平,容易引起断栅而影响MWT电池的电性能和EL测试不良率。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种蛛网状的MWT电池正面电极结构。
技术方案:为解决上述技术问题,本实用新型提供一种蛛网状的MWT电池正面电极结构,具有阵列布置的正面电极重复单元,每个正面电极重复单元的中心具有一个电极点,该电极点与激光打孔孔洞位置重合,相邻电极点之间连接主栅线,在主栅线上连接有副栅,相互连接的主栅线与副栅呈45°角,相互连接的副栅与副栅呈90°角,所述正面电极重复单元呈蛛网状。
其中,电极点图形可为圆形、多边形,直径可在0.03-10mm不限。
连接电极点的主栅可为直线或曲线(一般为直线),主栅宽度呈竹节降低,且离电极点越远,栅线宽度越低。
连接主栅的副栅为直线,副栅宽度呈均匀或阶梯变化,当采用阶梯变化时,离主栅越远、栅线宽度越细。
每条主栅同一侧的副栅呈等间距或非等间距分布,当采用非等间距排布时,离电极点越远,栅线之间的间距越大。
有益效果:本实用新型将电极点、主栅和副栅连接成蛛网状结构,具备以下实质性的特点和进步:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的