[实用新型]一种半导体器件

说明书

本实用新型公开了一种半导体器件，在本实用新型所述技术方案中，所述基底的背面覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述通孔的底部以及侧壁，且覆盖所述通孔外的所述基底的背面，位于所述通孔外的所述第一绝缘表面覆盖有第二绝缘层，在对所述通孔底部的第一绝缘层进行刻蚀时，虽然位于所述通孔外的区域的刻蚀速度大于所述通孔底部的刻蚀速度，但是由于具有所述第二绝缘层的保护，可以避免所述通孔外的所述第一绝缘层被过刻蚀，提高了器件的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺技术领域，更具体的说，涉及一种半导体器件。

背景技术

半导体器件是集成电路中的主要功能单元，各种半导体器件是集成电路实现特定功能的必不可少的元件。为了实现半导体器件与外部电路连接，一种常用方式是在半导体器件基底的背面上形成通孔，以露出基底正面的焊垫，通孔内需要形成绝缘层以及位于所述绝缘层表面的再布线层，所述再布线层与所述焊垫连接，所述再布线层延伸到所述通孔的外部，位于所述通孔外部的再布线层连接有连接端，用于和外部电路连接。

现有技术中，在制作半导体元件时，在所述通孔内形成所述绝缘层，需要通过刻蚀工艺刻蚀去除所述通孔底部的绝缘层，以便于露出所述焊垫。现有的半导体器件容易出现过刻蚀问题，从而使得半导体器件的可靠性较差。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型技术方案提供了一种半导体器件，提高了半导体器件的可靠性。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

实用新型一种半导体器件，所述半导体器件包括：

基底，所述基底包括相对的正面以及背面，所述正面具有功能单元以及与所述功能单元连接的焊垫；

位于所述基底的背面的通孔，所述通孔用于露出所述焊垫；所述通孔为直孔；

覆盖所述基底的背面的第一绝缘层，所述第一绝缘层露出所述通孔底部的所述焊垫；

覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层；

覆盖所述第二绝缘层的再布线层，所述再布线层在所述通孔的底部与所述焊垫连接，所述再布线层延伸到所述通孔的外部；

覆盖所述再布线层的阻焊层，所述阻焊层位于所述通孔外的区域具有开口，用于露出所述再布线层；

位于所述开口的连接端，所述连接端与所述再布线层连接，用于连接外部电路。

优选的，在上述半导体器件中，通过沉积工艺形成所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层。

优选的，在上述半导体器件中，，沉积所述第一绝缘层的覆盖率大于沉积所述第二绝缘层的覆盖率。

优选的，在上述半导体器件中，所述第一绝缘层为二氧化硅层，所述第二绝缘层为氮化硅层。

优选的，在上述半导体器件中，所述通孔为圆孔或是方孔。

优选的，在上述半导体器件中，所述半导体器件为感光芯片、ASIC芯片或是MEMS芯片。

通过上述描述可知，在本实用新型技术方案提供的半导体器件中，所述基底的背面覆盖有第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述通孔的底部以及侧壁，且覆盖所述通孔外的所述基底的背面，位于所述通孔外的所述第一绝缘表面覆盖有第二绝缘层，在对所述通孔底部的第一绝缘层进行刻蚀时，虽然位于所述通孔外的区域的刻蚀速度大于所述通孔底部的刻蚀速度，但是由于具有所述第二绝缘层的保护，可以避免所述通孔外的所述第一绝缘层被过刻蚀，提高了器件的可靠性。

附图说明