[实用新型]一种EEPROM的保护电路有效
| 申请号： | 201721892154.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207558429U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐志锋;刘山山 | 申请（专利权）人： | 深圳市雍慧电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 何星民 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路 本实用新型 电性连接 稳压电路 技术方案要点 存储器 大干扰 单片机 高频率 | ||
1.一种EEPROM的保护电路，包括EEPROM存储器(1)，其特征在于：还包括与EEPROM存储器(1)电性连接的稳压电路(2)，所述稳压电路(2)与单片机的P1口电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种EEPROM的保护电路，其特征在于：所述稳压电路(2)包括第二电阻（R2）、稳压二极管（D）、三极管（Q）、第三电阻（R3）以及第四电阻（R4）,所述第二电阻（R2）一端接电源，另一端与稳压二极管（D）和第三电阻（R3）电性连接，所述稳压二极管（D）的另一端与三极管（R3）的基极电性连接，所述第三电阻（R3）的另一端与三极管（Q）的集电极电性连接，所述三极管（Q）的发射极与所述EEPROM存储器(1)电源引脚电性连接，所述第四电阻（R4）与第三电阻（R3）和三极管（Q）并联，所述三极管（Q）的基极与单片机的P1口电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种EEPROM的保护电路，其特征在于：所述第四电阻（R4）为可调电阻。
4.根据权利要求1所述的一种EEPROM的保护电路，其特征在于：所述EEPROM存储器(1)电性连接有复位电路(3)，所述复位电路(3)与EEPROM存储器(1)的PIN7电性连接，所述复位电路(3)包括一端接电源的电容（C）、与电容（C）串联并接地的第一电阻（R1），所述EEPROM存储器(1)的PIN7电性连接连接在电容（C）与第一电阻（R1）之间。
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