[实用新型]基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置

说明书

本实用新型属于短波通信设备技术领域，公开了基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；其中，射频场效应管包含栅极、漏极和源极；射频通路匹配单元的输入端连接二级功率放大单元的射频信号输出端，射频通路匹配单元的输出端连接射频场效应管的栅极，射频场效应管的漏极连接功率补偿单元的输入端，射频场效应管的源极接地，能够解决：现有短波20W功放热稳定性较差致使平坦度指标较差、互调指标较差的问题。

技术领域

本实用新型属于短波通信设备技术领域，尤其涉及基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，用于20W功率放大器末级放大单元。

背景技术

现有技术中，20W短波产品功放模块的末级放大电路都是基于晶体管。晶体管易安装受静电影响小，但是最大缺点是受温度影响较大热稳定性差，直接影响功放平坦度和互调指标。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型的目的在于提供一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，能够解决：现有短波20W功放热稳定性较差致使平坦度指标较差、互调指标较差的问题。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案予以实现。

一种基于射频场效应管的功率放大器末级放大装置，所述功率放大器末级放大装置设置在二级功率放大单元之后，所述装置包括：依次连接的射频通路匹配单元、射频场效应管、功率补偿单元、射频输出单元，以及连接在射频场效管输出端到输入端之间的反馈单元；

其中，所述射频场效应管包含栅极、漏极和源极；

所述射频通路匹配单元的输入端连接所述二级功率放大单元的射频信号输出端，所述射频通路匹配单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极，所述射频场效应管的漏极连接所述功率补偿单元的输入端，所述射频场效应管的源极接地。

本实用新型技术方案的特点和进一步的改进为：

(1)所述反馈单元的输入端连接所述射频场效应管的漏极输出端，所述反馈单元的输出端连接所述射频场效应管的栅极输入端。

(2)所述射频场效应管的栅极工作电压由偏置电路提供，所述射频场效应管的漏极工作电压由漏极供电电路提供。

(3)所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端；

所述射频通路匹配单元由第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、以及第一耦合变压器组成；

其中，所述第一电容的一端作为所述射频通路匹配单元的输入端，所述第一电容的另一端与所述第一耦合变压器的一次绕组的一端连接，所述第一耦合变压器的一次绕组的另一端接地，所述第一耦合变压器的二次绕组的一端与第一并联支路的一端连接，所述第一并联支路由第一电阻和第二电容并联组成，所述第一耦合变压器的二次绕组的另一端与第二并联支路的另一端连接，所述第二并联支路由第二电阻和第三电容并联组成，所述第一并联支路的另一端和所述第二并联支路的另一端之间串接所述第三电阻，且所述第三电阻的两端分别作为所述射频通路匹配单元的两个子输出端，且所述射频通路匹配单元的两个子输出端分别与所述射频场效应管的两个栅极输入端对应连接。

(4)所述射频场效应管的型号为DMD1010，其内部由两个MOS管组成，从而具有两个栅极输入端和两个漏极输出端；

所述功率补偿单元由第四电阻、第五电阻、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、电感、第二耦合变压器以及第三耦合变压器组成；