[实用新型]一种低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备

权利要求书

1.一种低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：包括真空腔体，在真空腔体的内侧以真空腔体中心为圆心的45°、135°、225°和315°方向分别设有一平面靶；在真空腔体内部设置有呈圆环形的工件转架系统，在所述工件转架系统内侧与外侧设置有相对的恒流离化装置；所述工件转架系统等距水平设置有若干圆形的工件挂架；

所述低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备还包括加热温控系统和工艺气体加入分配系统；所述工件转架系统两侧均匀布设若干加热管和若干等高的气管，所述气管从真空腔体的底部伸入真空腔体；所述加热管与加热温控系统连通，所述气管与工艺气体加入分配系统连通；

所述真空腔体的顶部设置有锥形炉顶，在锥形炉顶上端设有沉积抽气口；所述低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备还包括真空抽气系统，所述真空抽气系统通过管道与所述沉积抽气口相连。

2.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述气管的水平高度比所述工件挂架高5-30cm；所述气管由上往下开设若干气孔，所述气孔都朝向临近的工件挂架，所述气孔的孔径由下往上依次增加。

3.根据权利要求2所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述气管由上往下开设5-20个气孔。

4.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述气管的水平高度比所述工件挂架高10-20cm。

5.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：述平面靶为Cr靶、Ti靶或W靶。

6.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：在所述真空腔体内部的以真空腔体中心为圆心的180°方向设置烘烤抽气口，所述烘烤抽气口通过管道与所述真空抽气系统相连。

7.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：在所述真空腔体内部的以真空腔体中心为圆心的270°方向设置弧靶。

8.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备还包括脉冲直流偏压电源系统，所述工件转架系统与所述脉冲直流偏压电源系统的负极相连，所述工件转架系统与所述真空腔体绝缘，所述脉冲直流偏压电源系统的正极接地，所述真空腔体接地。

9.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：所述真空腔体的一侧面设置进出货炉门，与进出货炉门相邻侧面设置观察窗。

10.根据权利要求1所述的低氢含量的类金刚石碳膜沉积设备，其特征在于：还设有PLC控制与操作系统。