[实用新型]有源偏置达林顿结构放大器有效
| 申请号： | 201721899821.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207869070U | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 罗孝均;邓攀;朱世贵;胡强;侯堃 | 申请（专利权）人： | 成都华光瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/42 | 分类号： | H03F1/42;H03F1/34;H03F1/30 |
| 代理公司： | 成都泰合道知识产权代理有限公司 51231 | 代理人： | 向晟;孙恩源 |
| 地址： | 610000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 放大器 达林顿结构 放大电路 偏置 偏置电路 耦合电路 本实用新型 电流稳定性 电路输入信号 电子通信领域 电流变化 放大增益 外部电压 电连接 放大管 高低温 隔断 减小 噪声 带宽 电路 放大 保证 | ||
1.一种有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：包括有源偏置电路、放大电路和耦合电路；所述有源偏置电路用于增强放大电路的电流稳定性；所述放大电路用于对电路输入信号进行放大；所述耦合电路用于隔断外部电压；所述有源偏置电路、放大电路以及耦合电路电连接。
2.如权利要求1所述的有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：所述有源偏置电路包括电阻和至少一只放大管芯，所述电阻用于分压和限流。
3.如权利要求1所述的有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：所述放大电路采用达林顿结构，包括至少两只放大管，其中每只放大管源极与栅极连接。
4.如权利要求3所述的有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：所述放大电路采用的放大管为GaAs pHEMT。
5.如权利要求1所述的有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：所述放大电路由电阻和电容构成负反馈路径，所述负反馈路径用于调整放大器输入端口阻抗和增益平坦度。
6.如权利要求1所述的有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：所述放大电路由电阻、电容和电感构成负反馈路径，所述负反馈路径用于调整放大器输入端口阻抗和增益平坦度。
7.如权利要求1所述的有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：所述放大电路还包括峰化电感，所述峰化电感的一端连接第一pHEMT放大管源极，另一端连接第二pHEMT放大管栅极，该峰化电感用于提升放大电路的高频增益。
8.如权利要求1所述的有源偏置达林顿结构放大器，其特征在于：所述耦合电路包括输入耦合电容和输出耦合电容，用于隔断外部输入的直流电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都华光瑞芯微电子股份有限公司，未经成都华光瑞芯微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721899821.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
