[实用新型]纳米粉体制备装置有效
申请号: | 201721901244.2 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN207951384U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 樊海芳 | 申请(专利权)人: | 中纳电子科技江苏有限公司 |
主分类号: | B01J3/04 | 分类号: | B01J3/04;B01J19/08;B82Y40/00;C23C8/12;C04B35/581;C04B35/626 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空反应 纳米粉体制备装置 本实用新型 激光发射器 水平轨道 制备 生产成本低 氧气通入口 托盘 氩气 水平滑动 透光结构 通入口 侧壁 粉体 | ||
本实用新型提供了一种纳米粉体制备装置,包括内部设有托盘的真空反应箱体和位于真空反应箱体上方的激光发射器;所述的真空反应箱体上方为透光结构,侧壁开有氩气通入口,底部开有氧气通入口。所述的激光发射器通过水平轨道安装在真空反应箱体上方,沿水平轨道在真空反应箱体上方水平滑动。本实用新型装置简单,制备方便,生产成本低,制备出的粉体均匀。
技术领域
本实用新型涉及材料制备领域,具体是一种纳米粉体制备装置。
背景技术
由于独特的尺寸效应,纳米粉体材料往往具有许多新颖的物理化学性质,并在多个领域表现出了良好的应用。
比如,氮化铝(AlN)陶瓷在陶瓷材料中,具有热导率高、热膨胀系数小、介电常数低、强度高、化学性质稳定的优点,是公认的高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料,在国防航空、通讯、电子元器件等领域前景光明。而AlN陶瓷材料的制备工艺和实用性能均受到粉体特性的直接影响,要获得高性能的AlN陶瓷,必须有纯度高、烧结活性好的粉体作为原料。
传统的铝粉直接氮化法要将Al粉在氮气中加热反应,不仅生产成本高,而且氮化铝粉末纯度低、产物易结块、反应不完全,难以制出粒度均匀、高纯度、细粒度的粉末,无法满足制备高性能AlN陶瓷对原料粉末的要求。
实用新型内容
本实用新型为了解决现有技术的问题,提供了一种纳米粉体制备装置,装置简单,制备方便,生产成本低,制备出的粉体均匀。
本实用新型包括内部设有托盘的真空反应箱体和位于真空反应箱体上方的激光发射器;所述的真空反应箱体连接有抽真空机,真空反应箱体上方为透光结构,侧壁开有氩气通入口,底部开有氧气通入口。
所述的激光发射器通过水平轨道安装在真空反应箱体上方,沿水平轨道在真空反应箱体上方水平滑动。
所述的托盘绕自身中心旋转。
通过激光发射器,使激光作用在工件上,激光发射器可以水平匀速运动,工件可进行周向运动,这样可以有效发挥激光的工作效率,提高产能。
本实用新型有益效果在于:
1、装置简单,制备方便,生产成本低。
2、作用在氧化膜上得到的纳米粉体更均匀,由于发射体,与工件同时都在运动,这样又保证了工件有足够的时间形成氧化膜。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。
本实用新型结构如图1所示,包括内部设有托盘3的真空反应箱体1和位于真空反应箱体1上方的激光发射器2;所述的真空反应箱体连接有抽真空机,真空反应箱体1上方为透光结构,侧壁开有氩气通入口4,底部开有氧气5通入口。
所述的激光发射器2通过水平轨道安装在真空反应箱体1上方,沿水平轨道在真空反应箱体1上方水平滑动。所述的托盘绕自身中心旋转。
本实用新型工作方法如下:
1、将工作放入真空反应箱体的托盘上,向箱体内通入氧气,对工件进行氧化。
2、 对真空反应箱体进行抽真空。
3、 向真空反应箱体中通入氩气,移动激光发射器使激光发射口正对工件,打开激光发射器,同时托盘旋转,在工件表面制备纳米粉体。
本实用新型具体应用途径很多,以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以作出若干改进,这些改进也应视为本实用新型的保护范围。
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