[实用新型]一种双面发电式太阳能电池板有效
申请号: | 201721902024.1 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN207705217U | 公开(公告)日: | 2018-08-07 |
发明(设计)人: | 雷宇 | 申请(专利权)人: | 武汉斯恩利新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0216 |
代理公司: | 武汉天力专利事务所 42208 | 代理人: | 罗雷 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池板 发射极层 下表面 钝化处理 双面发电 导电极 掺杂 防反光涂层 太阳能电池 发电效率 涂层表面 上表面 发电量 发电 | ||
本实用新型公开了一种双面发电式太阳能电池板,包括N型硅电池层,所述N型硅电池层的上表面设有掺杂硼的上发射极层,所述上发射极层表面设有防反光涂层,防放光涂层表面设有导电极,所述N型硅电池层的下表面设有掺杂磷的下发射极层,下发射极层的下表面设有N型硅钝化处理涂层,N型硅钝化处理涂层的下表面设有另外的导电极。该太阳能电池板双面都能发电,提高了单位面积的太阳能电池板的发电效率,发电量大,对太阳能电池板的利用率高。
技术领域
本实用新型属于太阳能发电装置技术领域,尤其涉及一种双面发电式太阳能电池板。
背景技术
太阳能发电系统是利用电池组件将太阳能直接转变为电能的装置系统。在光照条件下,太阳电池组件产生一定的电动势,通过组件的串并联形成太阳能电池方阵,使得方阵电压达到系统输入电压的要求。
而现有的太阳能电池板一般都是单面接触阳光,单面发电,发电效率较低,对太阳能电池板的利用率也较低。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足之处,本实用新型提供一种双面发电式太阳能电池板,该太阳能电池板双面都能发电,提高了单位面积的太阳能电池板的发电效率,发电量大,对太阳能电池板的利用率高。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种双面发电式太阳能电池板,包括N型硅电池层,所述N型硅电池层的上表面设有掺杂硼的上发射极层,所述上发射极层表面设有防反光涂层,防放光涂层表面设有导电极,所述N型硅电池层的下表面设有掺杂磷的下发射极层,下发射极层的下表面设有N型硅钝化处理涂层,N型硅钝化处理涂层的下表面设有另外的导电极。
在上述技术方案中,所述上发射极层、防反光涂层、下发射极层和N型硅钝化处理涂层均为锯齿状的栅线结构。
在上述技术方案中,所述导电极的数量为多个。
在上述技术方案中,所述导电极外设有镀银层。
本实用新型的有益效果是:光线照射在该电池板上时,上下表面都能将光转换成电能,并通过导电极导出,提高了发电效率,增加了发电量;通过将上发射极层、防反光涂层、下发射极层和N型硅钝化处理涂层设置成锯齿状的栅线结构,使照射在该电池板上的光接触到更大面积的N型硅电池层上,进一步提高了发电效率,也提高了N型硅电池层的使用效率。
附图说明
图1为本实用新型的剖面结构示意图。
其中:1.N型硅电池层,2.上发射极层,3.防反光涂层3,4.导电极,5.下发射极层,6.N型硅钝化处理涂层。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示的一种双面发电式太阳能电池板,包括N型硅电池层1,所述N型硅电池层1的上表面设有掺杂硼的上发射极层2,所述上发射极层2表面设有防反光涂层3,防放光涂层3表面设有导电极4,所述N型硅电池层1的下表面设有掺杂磷的下发射极层5,下发射极层5的下表面设有N型硅钝化处理涂层6,N型硅钝化处理涂层6的下表面设有另外的导电极4。
在上述技术方案中,所述上发射极层2、防反光涂层3、下发射极层5和N型硅钝化处理涂层6均为锯齿状的栅线结构。发射极层2、防反光涂层3、下发射极层5和N型硅钝化处理涂层6的锯齿状的栅线结构,相当于增加了N型硅电池层1与光的接触面积,提高了N型硅电池层1的发电效率。
N型电池的基体是n-Si,基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极,p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结,基体的背表面通过扩散或者离子注入重掺杂形成n+背场,n+背场与n-Si基体接触形成n+-n高低结。p+-n结和n+-n高低结内部都存在内建电场,可以分离光照产生的电子-空穴对,被分离的电子通过背场上面的背电极、空穴通过发射极上面的前电极输出到外电路,驱动负载运行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的