[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构

说明书

本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5％。

技术领域

本实用新型涉及晶体硅异质结太阳电池技术领域，特别是涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构。

背景技术

晶体硅异质结太阳电池技术近年来访发展迅速，已有多家公司投入进行大批量产业化生产。其生长中一项关键技术在于透明导电氧化物的材质和制备方法。就目前而言，大部分采用的是ITO薄膜(掺锡氧化铟)，但也发展了IWO(掺钨氧化铟)、ITiO(掺钛氧化铟)等材料。但除ITO外其他材料的制备技术，尤其是产业化制备技术一直较为困难，不能很好的满足产品性能和生产产能要求。对于ITiO薄膜的制备，一般是采用磁控溅射法，采用氩气和氧气作为反应气体，但所得薄膜的质量一直不够理想，尤其是在高生产速率的大规模生产中产品性能不够稳定。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种晶体硅异质结太阳电池结构，结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；可用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种晶体硅异质结太阳电池结构：在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。

所述在制绒的n型晶体硅片的一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜。

所述除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜为ITO薄膜或IWO薄膜。

所述晶体硅异质结太阳电池的两面结构中的掺杂非晶硅薄膜分别为n型掺杂非晶硅薄膜和p重掺杂非晶硅薄膜。

所述ITiO薄膜的载流子迁移率为20～100cm²/Vs，电阻率为2*10^-4～10*10^-4Ωcm，透射率不低于88％。

所述ITiO薄膜的制备方法，包括：

采用磁控溅射法在依次沉积了本征非晶硅基薄膜和掺杂非晶硅薄膜且制成了金字塔结构绒面的n型晶体硅片基底上沉积氧化铟钛ITiO薄膜；其中，磁控溅射法沉积的工艺参数为：反应气体为氩气、氢气和氧气，沉积功率密度为1.5～15kW/m，沉积速率为2.5～25nm/s。

所述氩气、氢气和氧气的流量比为10～60：0.05～5：1。

有益效果

由于采用了上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：

(1)本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构，其中ITiO薄膜的性能指标可达到载流子迁移率20～100cm²/Vs，电阻率2*10^-4～10*10^-4Ωcm，透射率不低于88％。

(2)本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快从而可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5％。

附图说明