[实用新型]一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置有效
| 申请号： | 201721903015.4 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207719585U | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 熊小强 | 申请（专利权）人： | 罗根激光科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109;H01S3/04 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 徐瑛 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市江夏区经济开*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固定座 温度控制装置 本实用新型 倍频晶体 放置口 高功率 可调节 电控 温度传感器 温度控制器 侧面设置 调节方便 固定盖板 结构稳定 控制晶体 温控单元 相位匹配 依次连接 定位孔 环节 优化 | ||
1.一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置，包括固定座（10），其特征在于，所述固定座（10）的一侧依次连接有温控单元（20）、两个独立的晶体固定座（30），所述晶体固定座（30）的侧面设置有晶体放置口（31），所述晶体放置口（31）上设有晶体固定盖板（32），所述晶体固定座（30）的顶部设有调节定位孔（33）。
2.根据权利要求1所述一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置，其特征在于，所述晶体固定盖板（32）通过弹性螺钉固定在所述晶体固定座（30）上。
3.根据权利要求1所述一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置，其特征在于，所述晶体放置口（31）的横截面为正方形。
4.根据权利要求1所述一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置，其特征在于，所述晶体固定盖板（32）上与晶体放置口（31）对应的位置设有向内部倾斜延伸的凹槽（321）。
5.根据权利要求1所述一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置，其特征在于，所述温控单元（20）上设有温度传感器安装孔（21），所述温度传感器安装孔（21）内设有温度传感器。
6.根据权利要求1所述一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置，其特征在于，所述温控单元（20）通过螺栓固定在固定座（10）上。
7.根据权利要求6所述一种高功率紫外电控可调节倍频晶体温度控制装置，其特征在于，所述固定座（10）底部设有三个安装孔（11），所述安装孔（11）为可调节安装位置的腰圆孔。
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