[实用新型]掩膜版

说明书

本实用新型提供了一种掩膜版。该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括若干主掩膜图形和若干辅助掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布，辅助掩膜图形设置在相邻的主掩膜图形之间。采用上述掩模板制备3D显示模组时，一方面有利于缩短制备时间，节省设置辅助框胶的材料成本，另一方面还有利于大大减少第一导电基板(和/或第二导电基板)切割时的形变量，降低崩边崩角的风险，提升良品率，且无需增加额外的材料成本和制备工序。

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，具体而言，涉及一种掩膜版。

背景技术

目前的可切换裸眼3D显示模组(以下简称3D Cell)的结构主要包括：上导电基板(Spacer glass)、下导电基板(Lens glass)、视景分离器件(Lens)、2D/3D可切换介质(液晶材料，LC)、液晶材料定向膜(PI)、隔垫装置(Spacer)以及边缘封框胶(Seal)。

3D Cell的主要制备工艺流程如下：

1、下导电基板的工艺流程：

(1)视景分离单元制程。下导电基板经过视景分离单元制程后，在玻璃基板表面生成视景分离器件。

(2)液晶材料定向膜制程。进入液晶材料定向膜制程后，在视景分离器件的表面涂布液晶材料配向膜。

(3)印制制程(Rubbing)。进入印制制程后，对上述配向膜表面进行物理配向，以使2D/3D 可切换介质液晶材料滴到基板上后，按照统一方向排列。

(4)边缘封框胶制程。进入边缘封框胶制程后，涂布边缘封框胶，以使上导电基板与下导电基板粘合，同时防止液晶材料外流。

2、上导电基板的工艺流程：

(1)液晶材料定向膜制程。在上导电基板的表面涂布液晶材料配向膜。

(2)印制制程(Rubbing)。对上述配向膜的表面进行物理配向，以使2D/3D可切换介质液晶材料滴到上述基板上后，按照统一方向排列。

(3)隔垫喷涂制程(Spacer Spray)。在上导电基板的表面喷洒隔垫装置。

上述两个步骤结束后，上导电基板和下导电基板进入真空贴合制程，形成液晶盒，然后进入切割制程，将成盒后的玻璃基板裁切成多片3D Cell。然而上导电基板和下导电基板在成盒后玻璃基板形变量较大，进而造成液晶材料穿刺及切割不良等问题(良品率约为60％)。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种掩膜版，以解决现有方法制备3D显示模组制备时，切割过程中显示面板易出现崩边或崩角等切割不良的问题。

为了实现上述目的，根据本实用新型的提供了一种掩膜版，该掩膜版包括掩膜图形区和非掩膜图形区，掩膜图形区用于曝光时固化其下方的光刻胶，非掩膜图形区用于阻挡曝光用的光线，掩膜图形区包括：若干主掩膜图形，主掩膜图形在掩膜版中阵列排布；若干辅助掩膜图形，设置于相邻的主掩膜图形之间。

进一步地，掩膜图形区中沿行方向排布的相邻主掩膜图形之间设置有一个或多个第一辅助掩膜图形。

进一步地，主掩膜图形和与其相邻的第一辅助掩膜图形之间的间距为4～6mm。

进一步地，掩膜图形区中沿列方向排布的相邻主掩膜图形之间设置有一个或多个第二辅助掩膜图形。

进一步地，主掩膜图形和与其相邻的第二辅助掩膜图形之间的间距为4～6mm。

进一步地，主掩膜图形形成的阵列周围还设置有若干第三辅助掩膜图形；第三辅助掩膜图形包括沿行方向排列的若干行辅助掩膜图形、以及沿列方向排列的若干列辅助掩膜图形。