[实用新型]一种正面金属为银的瞬态电压抑制器

说明书

本实用新型提出一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件，尤其涉及一种正面金属为银的瞬态电压抑制器。

背景技术

目前市场上的TVS芯片正面金属一般为铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)，封装时通过打线的方式，将正面金属和封装体引脚连接。正面金属铝铜(ALCU)和铝硅铜(ALSICU)存在以下不足之处：

1、芯片与引脚间的串联电阻高；

2、打线容易造成芯片内部损伤；

3、连接不牢固，容易造成接触不良；

4、寄生电容大。

因此，有必要对这种进行结构优化，以克服上述缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，以保证接触良好，降低寄生电容。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。

正面钛镍银中银的厚度大于3μm。

附加金属层表面通过压焊连接正面极板，背面金属层表面通过压焊连接背面极板。

本实用新型的优点在于：

该瞬态电压抑制器的正面金属为钛镍银，可以通过焊锡直接与极板压焊在一起，接触面积较大，能起到更好的接触，寄生电容较小。

附图说明

图1是本实用新型提出的瞬态电压抑制器的结构示意图；

图2是该瞬态电压抑制器的制作工艺流程图。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本实用新型。

如图1所示，本实用新型提出的正面金属为银的瞬态电压抑制器包括芯片本体1，芯片本体的正面金属层2采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层3采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层4，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过压焊连接正面极板5，背面金属层表面通过压焊连接背面极板6。

该瞬态电压抑制器的制作工艺与一般设计的区别在于，接触孔刻蚀之前的工艺步骤一致，接触孔刻蚀后的工艺步骤有所不同，如图2，接触孔刻蚀后的工艺步骤如下：

1、清洗，去除硅表面的氧化层等；

2、AlSiCu溅射，金属总厚度一般4μm左右；

3、AlSiCu光刻，包含涂胶、曝光、显影过程；

4、AlSiCu刻蚀，采用湿法腐蚀；

5、去除光刻胶，采用湿法去除晶圆表面的光刻胶；

6、金属合金，温度保持400℃，持续时间30min；