[实用新型]单晶硅连续生长的坩埚有效
| 申请号： | 201721918170.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN208701248U | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 曾国伟;乔晓东 | 申请（专利权）人： | 嘉兴耐进新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 周兵 |
| 地址： | 314100 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 埚体 单晶硅 埚体内壁 汇流环 底面 外壁 硅原料 底端 流孔 坩埚 体内 本实用新型 顶部开口 连续添加 两端开口 埚体侧壁 拉制 插入环 定位环 外侧边 生长 侧边 环槽 | ||
【权利要求书】：
1.单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：
包括主埚体，主埚体顶部开口，主埚体中设有副埚体，主埚体内壁与副埚体外壁之间具有可连续添加硅原料的空间，副埚体内具有可连续拉制单晶硅的空间，副埚体两端开口，其底端固定于主埚体底面，副埚体侧壁设有流孔，主埚体内壁与副埚体外壁之间的硅原料可通过流孔进入副埚体内。
2.根据权利要求1所述的单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：
主埚体底面具有汇流环边，汇流环边位于主埚体内壁与副埚体外壁之间，汇流环边外侧边的高度大于其内侧边的高度。
3.根据权利要求1所述的单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：
主埚体底面具有定位环，定位环中具有环槽，副埚体底端插入环槽内，使副埚体与主埚体固定连接。
4.根据权利要求1所述的单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：
副埚体的高度小于主埚体的高度。
5.根据权利要求1所述的单晶硅连续生长的坩埚，其特征在于：
流孔位于副埚体侧壁底部。
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