[实用新型]电池片及印刷网版有效
申请号: | 201721919376.8 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN207651495U | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 陈辉;周平;董经兵;卞建飞 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;盐城大丰阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;B41F15/36 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 秦蕾 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池片 主栅 正极栅线 副栅 硅片表面 覆盖率 硅片 片区 本实用新型 电流传输 光伏组件 硅片边缘 性能控制 印刷网版 均匀性 排布 制程 邻近 印刷 | ||
本实用新型提供了一种电池片及印刷网版,所述电池片包括硅片及设置于硅片表面的正极栅线,所述正极栅线包若干主栅及副栅,所述主栅包括两根邻近硅片边缘的最外侧主栅,所述硅片包括位于所述最外侧主栅外侧的第一片区以及位于相邻两根所述主栅之间的第二片区,所述副栅在第一片区的覆盖率大于所述副栅在第二片区的覆盖率。本实用新型电池片通过增加第一片区的正极栅线的覆盖率,以便于正极栅线的排布调节,利于后续光伏组件的制程及性能控制,同时保持硅片表面电流传输的均匀性,提高电池片性能。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种电池片及印刷网版。
背景技术
现有晶体硅太阳能电池片多通过在硅片表面印刷、烧结制得的栅线电极收集电流,通过对栅线电极的优化设计,能够提升电池片功率增益。从电池设计原理上讲,主栅的数量越多,串阻损耗就越小。但增加主栅数量的同时,需要对应降低主栅的宽度,避免遮光面积增加而导致电池片的短路电流的减小,影响效率。
除此,电池片栅线电极中主栅的设计,一般需要遵循均分原则。如图1所示,该电池片包括硅片10及设置在硅片表面的若干主栅21及垂直于所述主栅设置的副栅22。所述主栅包括两根最外侧主栅21';所述副栅22超出最外侧主栅的长度设置为a;相邻两根主栅间距设置为c,a=c/2。藉此,确保电池片各区域电流传输的长度一致,提高电池片性能。上述正极栅线还具有倒角区域且所述倒角区域沿副栅方向的延伸距离设置为b,a>b。但对于多主栅(MBB)单晶硅电池片而言,可能出现b>c/2,如果主栅仍采用上述均分原则的话,最外侧主栅可能会分布在倒角区域,对于后续光伏组件的制程控制非常不方便,亦会影响光伏组件的性能。因此,需要将最外侧主栅朝电池片的中间部分移动至避开倒角区域,即使得a>c/2,电池片边缘部分所生成的载流子在副栅上传输损耗较大,影响电池性能。
鉴于此,有必要提供一种新的电池片及印刷网版。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电池片及印刷网版,便于后续光伏组件的制程及性能控制;还能够保持电池片表面电流传输的均匀性,提高电池片的性能。
为实现上述实用新型目的,本实用新型提供了包括硅片及设置于硅片表面的正极栅线,所述正极栅线包若干主栅及副栅,所述主栅包括两根邻近硅片边缘的最外侧主栅,所述硅片包括位于所述最外侧主栅外侧的第一片区以及位于相邻两根所述主栅之间的第二片区,其特征在于:所述副栅在第一片区的覆盖率大于所述副栅在第二片区的覆盖率。
作为本实用新型的进一步改进,所述副栅包括垂直于所述主栅的第一副栅与第二副栅,所述第一副栅设置于第一片区,所述第二副栅设置于第二片区。
作为本实用新型的进一步改进,至少部分所述第一副栅沿主栅延伸方向的宽度大于第二副栅沿主栅延伸方向的宽度。
作为本实用新型的进一步改进,宽度大于第二副栅的部分所述第一副栅沿所述主栅的延伸方向均匀间隔分布。
作为本实用新型的进一步改进,所述第一副栅沿所述主栅延伸方向的分布密度大于所述第二副栅沿所述主栅延伸方向的分布密度。
作为本实用新型的进一步改进,所述第二副栅沿所述主栅延伸方向的宽度相一致。
作为本实用新型的进一步改进,所述正极栅线还包括沿所述硅片的边缘呈环状延伸的外廓栅线,所述外廓栅线依次连接所述主栅的末端及第一副栅的末端;所述第一片区及第二片区均位于所述外廓栅线内。
本实用新型还提供一种印刷网版,用于上述电池片的正极栅线的印刷,其包括丝网主体及设置于丝网主体表面的掩膜层,所述丝网主体形成有均匀排布的网孔,所述掩膜层遮掩所述丝网主体上的部分网孔,以形成透孔区及与所述透孔区相邻的遮蔽区,所述透孔区与所述电池片的正极栅线的图案相匹配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的