[实用新型]一种晶圆自悬浮加热装置有效
| 申请号： | 201721919379.1 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207637760U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热装置 晶圆 供气装置 处理单元 加热工艺 晶圆表面 气浮载台 温度信号 自悬浮 种晶 加热 本实用新型 测温单元 加热方式 控制信号 温度分布 温度检测 供气量 悬浮式 触碰 正对 悬浮 损伤 储存 分析 | ||
1.一种晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，包括：
箱体；
气浮载台，其用于对晶圆进行托浮，设置在所述箱体的底部且与供气装置相连；
加热装置，其位于所述箱体的顶部，正对着所述气浮载台设置，用于对所述晶圆进行加热；
测温单元，用于实时对所述晶圆表面进行温度检测，并发出温度信号；
处理单元，其对所述温度信号进行接收，并与储存的对应理论加热工艺进行对比、分析，并发出相应控制信号至所述供气装置。
2.根据权利要求1所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，所述测温单元包括红外测温探头。
3.根据权利要求2所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，所述红外测温探头数量为多个，且均布于所述晶圆的上方。
4.根据权利要求1所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，在所述箱体内填充惰性气体。
5.根据权利要求4所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，所述惰性气体为氮气。
6.根据权利要求2所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，所述加热装置为平铺于所述箱体顶部的多组加热管。
7.根据权利要求6所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，在所述加热管的下方设置有保护罩壳；在所述保护罩壳上设置有供所述红外测温探头伸出的孔。
8.根据权利要求1所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，所述气浮载台采用陶瓷材质。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，在所述箱体的外壁包裹有保温层。
10.根据权利要求9所述的晶圆自悬浮加热装置，其特征在于，所述保温层由石棉制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
