[实用新型]电池片及印刷网版有效
申请号: | 201721920085.0 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN207651505U | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 吴艳芬;董经兵;王海霞 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司;盐城大丰阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 秦蕾 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池片 印刷网版 栅线电极 主栅 主线 焊接过程 导引线 整片式 锡料 本实用新型 印刷 印制 方向延伸 硅片表面 焊接不良 局部焊接 末端分叉 末端延伸 有效解决 硅片 聚积 层压 副栅 焊带 裂片 片式 透孔 首尾 匹配 集结 兼容 图案 延伸 流动 | ||
本实用新型提供了一种电池片及印刷网版,所述电池片包括硅片及印制在硅片表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅与副栅,所述主栅包括沿第一方向延伸设置的主线及自所述主线末端分叉延伸形成的支线,所述主栅还包括自所述主线的末端延伸并位于该末端所形成的支线之间的导引线;所述印刷网版的具有与所述栅线电极的图案相匹配的透孔区。本实用新型电池片焊接过程中,焊带上的锡会沿着导引线流动,避免锡料局部聚积而导致焊接不良及层压裂片;所述印刷网版有效解决现有兼容半片式、整片式电池片印刷的印刷网版所印制得到的整片式电池片后续焊接过程中,首尾相邻的主线之间出现锡料集结,局部焊接拉力不足等问题。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种电池片及印刷网版。
背景技术
光伏应用是近年来发展最快,最具活力的研究领域,晶体硅太阳能电池技术亦取得不断的发展与改进。其中,半片式电池片在高效光伏组件中已多有应用,现有厂商多采用兼容半片式、整片式电池片印刷的印刷网版,上述印刷网版印制的整片式电池片200(如图1所示)的栅线电极包括主栅201、副栅202及设置于主栅201上的若干焊盘203。该电池片200后续焊接过程中,主栅201中间位置会出现锡料流动不畅,局部聚积,影响焊接拉力,甚而出现层压裂片。另一方面,电池片正面栅线电极已由原来的两根主栅逐步发展至现今五根甚而更多主栅,主栅数目的增多不仅可以大大减少电池片的遮光面积,减小Ag浆单耗,降低了电池片生产成本;还可以缩短副栅上的电流传输至主栅的距离,降低电池串联电阻,从而提高电池转换效率。但采用多根主栅的电池片的主栅宽度较细,在制造光伏组件过程中一般采用直径为0.35mm左右,锡层厚度为15μm的圆形焊带,该类电池片焊接过程中更需避免锡料聚积而可能导致的焊接不良及层压裂片等问题。
鉴于此,有必要提供一种新的电池片及印刷网版。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电池片及印刷网版,能够避免电池片焊接过程中出现锡料局部聚积而导致焊接不良及层压裂片等问题。
为实现上述实用新型目的,本实用新型提供了一种电池片,包括硅片及印制在硅片表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅与副栅,所述主栅包括沿第一方向延伸设置的主线及自所述主线末端分叉延伸形成的支线,所述主栅还包括自所述主线的至少一末端延伸并位于该末端所形成的支线之间的导引线。
本实用新型还提供另一种电池片,包括硅片及印制在硅片表面的栅线电极,所述栅线电极包括主栅与副栅,所述主栅包括至少两条沿第一方向延伸且在所述第一方向首尾相邻设置的主线、自所述主线末端分叉延伸形成的支线,所述主栅还包括自至少一条所述主线的末端朝向另一主线延伸的导引线,所述导引线位于其所连接的主线末端所形成的支线之间。
作为本实用新型的进一步改进,所述导引线沿第一方向延伸设置,且所述导引线沿所述第一方向的延伸长度小于该末端对应的支线沿所述第一方向的延伸长度。
作为本实用新型的进一步改进,所述主栅还包括若干沿第一方向间隔设置于所述主线上的焊盘。
作为本实用新型的进一步改进,所述主线的末端设有所述焊盘,所述支线及导引线均连接于该主线末端相应的焊盘上。
作为本实用新型的进一步改进,连接至所述主线同一末端的支线设置为两条且两条所述支线相对该主线对称设置。
作为本实用新型的进一步改进,两条所述支线的间距超出所述焊盘在垂直于第一方向的第二方向上的延伸宽度。
作为本实用新型的进一步改进,所述副栅沿垂直于第一方向的第二方向延伸且所述副栅包括第一副栅与第二副栅,所述第一副栅与主栅相接于所述焊盘位置;所述第二副栅包括若干首尾间隔设置的间断部分,每一所述间断部分均与至少一条主栅相连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的