[实用新型]倒装芯片组件及倒装芯片封装结构

说明书

本实用新型提供了一种倒装芯片组件及倒装芯片封装结构，所述倒装芯片组件包括芯片及设置于芯片表面的导电柱；所述导电柱包括连接至芯片表面的柱体及连接至柱体背离芯片的末端的软质导电层，所述倒装芯片组件还包括设置在所述导电柱旁侧的绝缘层，所述软质导电层沿背离所述芯片的方向突伸超出所述绝缘层。本实用新型倒装芯片组件及倒装芯片封装结构通过调整生产作业方式提升产品良率，制程工艺更为简洁；并有利于芯片厂商产品效益的进一步发掘及其对后续产品的质量控制。

技术领域

本实用新型涉及电子封装技术领域，尤其涉及一种倒装芯片组件及倒装芯片封装结构。

背景技术

随着电子行业的发展，集成电路封装相应朝着小型化、高性能的趋势发展。目前，绝大多数芯片与基板的连接仍采用引线键合方式，引线设置较长，制得的封装件的性能受限较大；尤其在一些高端精密器件领域，引线键合技术存有很大的局限性。业内已公开有多种样式的芯片封装结构，且仍在不断地推陈出新。其中，倒装芯片(flip chip)的封装是通过预制凸焊点(锡铅球或铜柱)，然后将芯片翻转加热利用熔融的凸焊点与基板相结合。相较于传统的引线键合方式，芯片正面朝向基板，能够形成最短电路，降低电阻，改善电性表现，且缩小了封装尺寸；特别是它可以采用类似SMT技术的手段来加工。因此，倒装芯片技术近年受到业内越来越多的关注与重视。

倒装芯片制程首先需要在刻蚀有成组芯片电路的圆片(wafer)上，对各芯片的联接点表面进行凸点底部金属化(UBM)处理，然后采用蒸镀、电镀、焊膏印刷、钉头、放球或焊料转移等方法在UBM后的表面上形成焊接凸点(bump)；同时，对成组基板(substratepanel)上的焊盘也必须进行适当的金属化处理。接着将圆片和基板切割成单个的芯片和对应的基片；再通过芯片组装(assembly)工艺将芯片与基片互连起来，连接方法可以通过焊料、热压焊接、热声焊接或导电胶连接等。组装完成后，再对芯片进行底部填充固化及元件塑封(modeling compound)，以完成倒装芯片的封装。制程工艺较复杂，底部填充固化多采用环氧树脂材料，此过程可能出现树脂填充不完全，耗时较长，且不利于芯片厂商对后续产品的质量控制。

鉴于此，有必要提供一种新的倒装芯片组件及倒装芯片封装结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种倒装芯片组件及倒装芯片封装结构，调整生产作业方式提升产品良率，使得制程工艺更为简洁；并有利于芯片厂商效益的提高及对产品的质量控制。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供了一种倒装芯片组件，包括芯片及设置于芯片表面的导电柱；所述导电柱包括连接至芯片表面的柱体及连接至柱体背离芯片的末端的软质导电层，所述倒装芯片组件还包括设置在所述导电柱旁侧的绝缘层，所述软质导电层沿背离所述芯片的方向突伸超出所述绝缘层。

作为本实用新型的进一步改进，所述软质导电层设置为软金层；所述柱体设置为铜柱。

作为本实用新型的进一步改进，所述导电柱还包括设置于所述铜柱与软金层之间的粘合层，所述粘合层设置为金属镍。

作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘层相对芯片表面的设置高度超出所述柱体的高度，且所述绝缘层背离所述芯片的一侧形成有贴合面；所述绝缘层还具有自所述贴合面凹陷且与所述导电柱位置相对应的容置槽。

作为本实用新型的进一步改进，所述容置槽朝向所述芯片凹陷延伸不超出所述软质导电层。

作为本实用新型的进一步改进，所述容置槽具有底壁及周壁，所述导电柱位于所述容置槽的中心位置，以使得所述软质导电层的外周与所述周壁的径向间隙相一致。

作为本实用新型的进一步改进，所述绝缘层设置为聚酰亚胺树脂涂层。