[实用新型]一种非易失性存储器的读取电路

说明书

本实用新型目的在于提供一种结构简单、读取速度快的非易失性存储器读取电路。根据本实用新型的一方面，提供一种非易失性存储器的读取电路，其中，包括：多个参考支路，每个参考支路提供一个参考电压；存储单元支路，与参考支路并联在电源电压与地之间并且互为镜像，存储单元支路包括存储单元，存储单元设置成可提供多个不同的存储电压；多个输出单元，分别连接到多个参考支路，用于至少根据来自多个参考支路的参考电压来产生多个结果电压。根据本实用新型的另一方面，还提供一种非易失性存储器的读取方法，包括：向存储单元支路中的存储单元施加读取电压，控制多个参考支路和存储单元支路导通，根据多个输出单元提供的多个结果电压生成读取结果。

技术领域

本实用新型涉及存储技术，更具体地说，本实用新型涉及一种存储器读取电路。

背景技术

在现有的电子设备中，已经广泛地采用存储器来存储程序和数据。诸如手机、平板之类的移动终端的存储器的容量已经高达64G或更高。存储容量的提高有利于在移动终端中安装更多的应用软件，存储更多的文件、照片和视频等内容，并且可以支持运行更为复杂的系统功能，以满足用户越来越高的要求。随着存储器在移动终端中的应用越来越多，希望存储器的存储密度不断增大、功耗不断减小。

然而，在上述存储器的技术发展过程中，存储器的特征尺寸也在不断减小，工作电压在不断降低。存储装置所能存储的数字信息也随着技术的发展而增大，在历史上，存储器中的信息密度已经通过缩小装置尺寸和增大集成度而增大。通过在每个存储“单元”中存储多于1位的信息，也可增大信息密度。

当单个存储单元存储的数据从原来的单个比特变为2比特或者更高比特时，其数据的读出就需要相对应的读出电路才可读出数据，因此其存储单元的读取电路也要发生相应的改变。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种多比特闪存的读取电路。

根据本实用新型的一方面，提供一种非易失性存储器的读取电路，其中，包括：

多个参考支路，每个参考支路提供一个参考电压；

存储单元支路，与参考支路并联在电源电压与地之间并且互为镜像，存储单元支路包括存储单元，存储单元设置成可提供多个不同的存储电压；

多个输出单元，分别连接到多个参考支路，用于至少根据来自多个参考支路的参考电压来产生多个结果电压。

优选地，每个参考支路包括在电源电压与地之间依次串联的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管的源极和栅极相连，第二晶体管的栅极接收钳位电压，第三晶体管的栅极接收与该参考支路对应的镜像电压，第一晶体管与第二晶体管之间的节点提供与该参考支路对应的参考电压。

优选地，每个参考支路的第三晶体管具有一个阈值电压，阈值电压与存储单元可提供的多个不同存储电压之一相对应。

优选地，存储单元支路包括在电源电压与地之间依次串联的第四晶体管、第五晶体管和存储晶体管，第四晶体管的源极和栅极互连并且与第一晶体管的栅极相连，第五晶体管的栅极接收钳位电压，存储晶体管的栅极接收读取电压，存储晶体管具有多个可编程阈值电压以能够提供多个不同的存储电压，存储电压在存储晶体管与第四晶体管之间的节点处被提供。

优选地，还包括镜像电压产生电路，镜像电压产生电路包括：

多个参考电流源，多个参考电流源之间互为镜像，分别与多个参考支路相连，用于根据相应的参考电流为各个参考支路提供相应的镜像电压。

优选地，输出单元包括：多个反相器，分别与多个参考支路相连，用于将各个参考支路提供的参考电压反向后输出。

优选地，输出单元包括：多个比较器，每个比较器的第一输入端接与一个相应的参考支路相连以接收相应的参考电压，第二输入端与存储单元支路相连以接收存储电压，输出端提供相应的结果电压。