[实用新型]一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置

权利要求书

1.一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置：衬底(1)、MOS集成电路(2)、半导体激光二极管阵列(3)、外部控制系统(4)；通过外部控制系统(4)可独立寻址控制MOS集成电路(2)上的电极阵列(22)的每一个电极供电状态，进而通过控制电极阵列(22)中的每一个电极的供电独立控制每一个半导体激光二极管(31)发光与熄灭，通过可控的每个半导体激光二极管(31)发光与熄灭最终组成所需的特定激光图案。

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，衬底(1)材料采用硅基或玻璃基。

3.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，MOS集成电路(2)包括PMOS、NMOS和CMOS。

4.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，MOS集成电路(2)表面含有C≥1个引脚(21)与外部控制系统(4)连接，含有电极阵列(22)与半导体激光二极管阵列(3)相连并为半导体激光二极管阵列(3)供电，引脚(21)可以在MOS集成电路(2)的任意位置。

5.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，MOS集成电路(2)含有多层电路结构，MOS集成电路(2)表面含有电极阵列(22)，电极阵列(22)中的每个电极都可独立寻址并独立控制电流开关，每个电极均有其对应的独立驱动电路，驱动电流由薄膜晶体管提供。

6.根据权利要求4所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，电极阵列(22)共有m行，m为大于1的整数，n列，n为大于1的整数，共计m*n个电极并呈矩形排布，也就是说m行排列轴线M与n列排列轴线N呈90度夹角。

7.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，半导体激光二极管阵列(3)共有A行，A为大于1的整数，B列，B为大于1的整数个半导体激光二极管(31)，共计A*B个半导体激光二极管(31)呈矩形排布，也就是说A行排列轴线与B列排列轴线呈90度夹角。

8.根据权利要求7所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，半导体激光二极管(31)的激光发射方向垂直于衬底(1)平面；激光波长范围大于等于350纳米小于等于890纳米；半导体激光二极管(31)边长大于等于500纳米，小于等于500微米。

9.根据权利要求5所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，电极阵列(22)共有m行的数量m≥半导体激光二极管阵列(3)的A行的数量A，即m≥A，电极阵列(22)共有n列的数量n≥半导体激光二极管阵列(3)的B列的数量B，即n≥B，也就是说，每个半导体激光二极管(31)可与1个或多个电极阵列(22)中的电极连接。

10.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光二极管与MOS集成电路技术的Micro LD的装置，其特征在于，外部控制系统(4)是可将图形数字信号转化为所需的电信号的控制系统；外部控制系统(4)通过多根引线(41)连接电极阵列(22)上的每一个电极，并能独立控制电极阵列(22)上的每一个电极供电状态的控制系统。