[实用新型]一种抑制本振牵引的直接上变频发射机

说明书

本实用新型公开了一种抑制本振牵引的直接上变频发射机，包括数模转换器、低通滤波器、混频器、压控振荡器和可变增益放大器，所述数模转换器的输出端依次通过低通滤波器及混频器与可变增益放大器的输入端连接，所述混频器与压控振荡器连接，所述可变增益放大器包括放大模块、滤波模块和匹配输出模块，所述混频器的输出端依次通过放大模块及滤波模块与匹配输出模块的输入端连接。本实用新型通过滤波模块滤除直接上变频发射机中产生的发射载频的二次谐波，减小了二次谐波对压控振荡器的牵引效应，从而提高了发射信号的质量和发射信号的EVM，可广泛应用于射频电路领域。

技术领域

本实用新型涉及射频电路领域，尤其涉及一种抑制本振牵引的直接上变频发射机。

背景技术

在传统的直接上变频发射机中，模拟基带生成的信号经过数模转换器(DAC)转换成模拟信号，经过低通滤波器后给混频器，在混频器里与压控振荡器(VCO)产生的本振信号直接进行混频，然后由可变增益放大器(VGA)放大至一定的功率等级。直接上变频发射机有一个大的缺点，当VCO与输出功率工作于同一频率时，可变增益放大器的输出功率会泄漏或反馈至VCO，导致VCO输出频率发生变化，甚至引起发射机输出杂散增加和发射信号EVM的恶化，这就是对VCO的牵引效应(pulling)。为了抑制牵引效应，目前流行的做法是使VCO的震荡频率2倍于发射载频。虽然这样做可以减小对VCO的牵引效应，但是当发射机输出功率过大时，其产生的二次谐波仍然会干扰VCO，从而降低发射信号的质量，恶化发射信号的EVM。在本实用新型中直接上变频发射机的VCO的震荡频率2倍于发射载频。

名词解释：

EVM：是英文Error Vector Magnitude缩写，意为误差向量幅度，是在一个给定时刻理想无误差基准信号与实际发射信号的向量差，能全面衡量调制信号的幅度误差和相位误差。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种滤除二次谐波的直接上变频发射机抑制本振牵引的电路。

本实用新型所采用的技术方案是：一种抑制本振牵引的直接上变频发射机，包括数模转换器、低通滤波器、混频器、压控振荡器和可变增益放大器，所述数模转换器的输出端依次通过低通滤波器及混频器与可变增益放大器的输入端连接，所述混频器与压控振荡器连接，所述可变增益放大器包括放大模块、滤波模块和匹配输出模块，所述混频器的输出端依次通过放大模块及滤波模块与匹配输出模块的输入端连接。

进一步，所述滤波模块包括第二电容、第三电容、第一电感装置和第二电感装置；

所述第二电容的一端与放大模块的第一输出端连接，所述第二电容的另一端与第一电感装置的一端连接，所述第一电感装置的另一端接地，所述第三电容的一端与放大模块的第二输出端连接，所述第三电容的另一端与第二电感装置的一端连接，所述第二电感装置的另一端接地。

进一步，所述第一电感装置和第二电感装置均采用封装线形成，所述第二电容和第三电容集成在芯片上。

进一步，所述放大模块包括多个跨导单元，所述混频器的输出端分别与各跨导单元的输入端连接，各所述跨导单元的输出端均与滤波模块的输入端连接。

进一步，各所述跨导单元包括反相器、第四电容、第五电容、第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第一直流电压源、第二直流电压源、第一电阻、第二电阻、第一N型场效应晶体管、第二N型场效应晶体管、第三N型场效应晶体管和第四N型场效应晶体管；