[发明专利]完美吸收体有效
| 申请号： | 201780000176.9 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107111011B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张昭宇;韩谞;何克波 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学(深圳) |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 完美 吸收体 | ||
【权利要求书】：
1.一种完美吸收体，其特征在于：包括具有两相对表面的基材层以及自所述基材层一表面向外依次叠设的金属层、介质层，还包括叠设于所述介质层表面的金属纳米阵列；
其中，所述金属纳米阵列为圆柱体阵列、3D螺旋阵列中的任一种；
所述金属层为钨层；所述介质层为二氧化硅层或氮化硅层；所述金属纳米阵列为钨金属阵列；所述金属层的厚度为200nm以上，所述介质层的厚度为60～80nm；所述金属纳米阵列的阵列周期为500nm，所述金属纳米阵列的高度为100～140nm；
当所述金属纳米阵列为圆柱体阵列时，所述圆柱体的直径为280～320nm，所述圆柱体的高度为100～140nm；
当所述金属纳米阵列为3D螺旋阵列时，所述3D螺旋阵列中，螺旋体的中径为250～350nm，直径为40～60nm，高度为100～140nm。
2.如权利要求1所述的完美吸收体，其特征在于：所述圆柱体的直径为300nm，所述圆柱体的高度为100nm。
3.如权利要求1所述的完美吸收体，其特征在于：所述基材层为石英、硅片、镍、铜、钨中的任一种。
4.如权利要求3所述的完美吸收体，其特征在于：所述基材层的厚度为500～1000μm。
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