[发明专利]完美吸收体的制造方法

权利要求书

1.一种完美吸收体的制造方法，其特征在于：至少包括以下步骤：

1)自洁净的基材一表面向外，依次进行第一金属层、介质层及第二金属层的沉积处理；

2)在所述第二金属层表面进行电子束光刻胶的旋涂处理；

3)对旋涂的所述电子束光刻胶进行热固化处理；

4)对所述热固化后的电子束光刻胶进行曝光、显影处理，获得具有未经过曝光的电子束光刻胶区域；

5)对进行曝光、显影处理后的所述电子束光刻胶区域进行干法刻蚀处理，使得第二金属层断裂形成若干周期性四方阵排布结构，并去除所述未经曝光的电子束光刻胶，得到完美吸收体；

所述干法刻蚀的气压为15～20mTorr，气体O₂ 15～25sccm，SF₆ 90～100sccm，源功率50～100W，偏置功率20～50W，刻蚀时间130～140s；

所述第一金属层的沉积处理采用磁控溅射，所述磁控溅射功率为300～400W，沉积时间为15～25min；所述介质层的沉积处理采用电子束蒸镀，蒸镀速率为3～5埃/秒；所述第二金属层的沉积处理采用磁控溅射，所述磁控溅射功率为300～400W，沉积时间为6～10min；

所述第二金属层为呈周期性四方阵排布的圆柱体，所述圆柱体的周期为500nm～600nm，所述圆柱体的直径为250～350nm；

所述第一金属层为钨层、所述第二金属层为钨层；所述介质层为二氧化硅层、氮化硅层、MgF₂、Al₂O₃中的任一种。

2.如权利要求1所述的完美吸收体的制造方法，其特征在于：所述第一金属层的厚度为200～300nm，所述介质层的厚度为60～80nm，所述第二金属层的厚度为100～140nm。

3.如权利要求1所述的完美吸收体的制造方法：其特征在于：所述热固化温度为170～200℃，所述热固化时间为1.5～4.5分钟。

4.如权利要求1所述的完美吸收体的制造方法，其特征在于：所述电子束光刻胶为正性胶；所述正性胶为ZEP520A。

5.如权利要求1所述的完美吸收体的制造方法，其特征在于：所述显影处理时是采用乙酸戊脂显影2～4分钟，异丙醇定影1～3分钟。

6.如权利要求1所述的完美吸收体的制造方法，其特征在于：旋涂的所述电子束光刻胶的厚度为200～250nm。

7.如权利要求1所述的完美吸收体的制造方法，其特征在于：所述基材为石英、硅片、镍、铜、钨中的任一种。