[发明专利]方波产生方法及方波产生电路

权利要求书

1.一种方波产生方法，应用于一方波产生电路，用来产生一类方波信号，其中所述方波产生电路具有一特定耐压，所述方波产生电路包括一第一信号产生电路及一第二信号产生电路，所述方波产生方法包括：

在一第一时间区间，所述方波产生电路产生的类方波信号具有所述第一信号产生电路产生的一第一电压；

在一第二时间区间，所述方波产生电路产生的类方波信号具有所述第二信号产生电路产生的一第二电压；以及

在所述第一时间区间与所述第二时间区间之间的一暂态区间，所述方波产生电路产生的类方波信号具有一暂态电压，其中所述暂态电压为固定的一电压值且介于所述第一电压与所述第二电压之间；

其中，所述第一电压与所述第二电压之间形成一第一电压差，所述第一电压差大于所述特定耐压；

其中，所述第一电压的一第一极性与所述第二电压的一第二极性相反。

2.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述第一电压与所述暂态电压之间形成一第二电压差，所述第二电压差为所述特定耐压。

3.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述暂态电压与所述第二电压之间形成一第三电压差，所述第三电压差为所述特定耐压。

4.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述第一电压差为所述特定耐压的2倍。

5.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述暂态电压为一接地电压。

6.一种方波产生电路，用来产生一类方波信号，其中所述方波产生电路具有一特定耐压，所述方波产生电路包括：

一输出端，用于输出所述类方波信号；

一第一信号产生电路，用于在一第一时间区间产生一第一电压；

一第二信号产生电路，用于在一第二时间区间产生一第二电压；

一第一开关，其一端耦接于所述第一信号产生电路，另一端耦接于所述输出端；以及

一第二开关，其一端耦接于所述第二信号产生电路，另一端耦接于所述输出端；

其中，所述第一信号产生电路及所述第二信号产生电路于一暂态区间产生一暂态电压，所述暂态区间位于所述第一时间区间与所述第二时间区间之间，所述暂态电压为固定的一电压值且介于所述第一电压与所述第二电压之间；

其中，于所述第一时间区间，所述第一开关为导通；于所述第二时间区间，所述第二开关为导通，在所述暂态区间，所述第一开关或所述第二开关为导通；

其中，所述第一电压与所述第二电压之间的一第一电压差大于所述特定耐压；

其中，所述第一电压的一第一极性与所述第二电压的一第二极性相反。

7.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第一开关受控于一第一控制信号，在所述暂态区间，所述第一开关导通，所述第一开关自所述第一信号产生电路将所述暂态电压传递至所述输出端。

8.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第二开关受控于一第二控制信号，在所述暂态区间，所述第二开关导通，所述第二开关自所述第二信号产生电路将所述暂态电压传递至所述输出端。

9.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第一开关为一第一金氧半晶体管，所述第一金氧半晶体管的一基极耦接于所述第一金氧半晶体管的一源极，所述第一金氧半晶体管为一P型金氧半晶体管，所述第二开关为一第二金氧半晶体管，所述第二金氧半晶体管的一基极耦接于所述第二金氧半晶体管的一源极，所述第二金氧半晶体管为一N型金氧半晶体管。

10.如权利要求9所述的方波产生电路，其中，所述第一金氧半晶体管的的一栅极接收一第一控制信号，所述第二金氧半晶体管的一栅极耦接于一接地端。

11.如权利要求9所述的方波产生电路，其中，所述第二金氧半晶体管的的一栅极接收一第二控制信号，所述第一金氧半晶体管的一栅极耦接于一接地端。