[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽120的半导体晶片W；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液12中，在将第一电极板14与第二电极板16以浸渍于悬浊液中的状态下对向设置的同时，在第一电极板与第二电极板之间以半导体晶片的玻璃覆盖膜形成面朝向第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜124。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，包含有在半导体晶片的表面形成玻璃覆盖膜的玻璃覆盖膜形成工序的半导体装置的制造方法已被普遍认知(例如，参照特开平8-64557号公报、特开 2014-187144号公报、特开昭2005-243893号公报、特开昭57-143832号公报)。

在该以往的半导体装置的制造方法中，是通过电泳沉积法(EPD：ElectrophoreticDeposition),使不含铅的无铅玻璃微粒子沉积于半导体晶片的台面(Mesa)沟槽中，然后，对该台面沟槽中沉积的无铅玻璃微粒子进行烧制使其玻璃化，从而形成半导体装置的钝化(Passivation)膜。

特别是，在上述以往的半导体装置的制造方法中，在基于电泳沉积法进行的玻璃覆盖膜形成工序中，无铅玻璃微粒子同样会沉积于半导体晶片的台面沟槽的底部。

通过这样，对无铅玻璃微粒子的沉积物进行烧制使其玻璃化后形成的钝化膜也同样会形成在台面沟槽的底部。

因此，例如，为了将半导体晶片芯片化，在利用划片(Dicing)或激光等沿台面沟槽对半导体晶片进行切割时，就需要对半导体晶片上的硅(Silicon)和作为钝化膜的玻璃，即，对材质不同的多种材料进行切割。

在对像这样的材质不同的多种材料进行切割时，会因不同材质的应力导致龟裂等的产生。作为防止该龟裂的对策，就必须减慢半导体晶片的切割速度、或是使用特殊的切割装置。

另外，为了进行高效率的切割，也有一种方法是在曝光工序后，对台面沟槽中的玻璃选择性地进行蚀刻，并且使硅面露出。

然而，上述任何一种对策均会导致工序的追加以及处理时间的增加，最终导致成本的增加。

如上述般，以往的半导体装置的制造方法在基于电泳沉积法的玻璃覆盖膜形成工序中，存在于因半导体晶片切割时的龟裂导致无铅玻璃微粒子沉积于半导体晶片的台面沟槽底部的问题。

因此，本发明的目的是提供一种半导体装置的制造方法，能够在对玻璃覆盖膜形成工序中使用的悬浊液的特性进行控制后，在台面沟槽的底部的至少一部分露出(台面沟槽的底部的至少一部分上不形成无铅玻璃微粒子沉积物的玻璃覆盖膜)的状态下，将无铅玻璃微粒子沉积物的玻璃覆盖膜高精度地形成在规定的厚度上，使其覆盖台面沟槽的开口端周围以及台面沟槽的侧壁。

发明内容

本发明的一种形态涉及的实施方式中的半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浊在溶媒后的悬浊液中，在将第一电极板与第二电极板以浸渍于所述悬浊液中的状态下对向设置的同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间以所述半导体晶片的所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板侧的状态下，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：

其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中，是以所述台面沟槽的底部的至少一部分露出的状态下，将作为所述无铅玻璃微粒子沉积物的所述玻璃覆盖膜形成为覆盖所述台面沟槽的开口端周围以及所述台面沟槽的侧壁，

在所述玻璃覆盖膜形成工序中所使用的所述悬浊液为：将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围后，在该溶媒中，添加含有有机溶剂与作为电解质的硝酸的混合液后，再将其电导率控制在第二范围后的悬浊液，