[发明专利]振荡器、集成电路、计时芯片和电子设备

权利要求书

1.一种振荡器，其特征在于，包括：

偏置电路和电流模比较器；

所述偏置电路与所述电流模比较器相连，所述偏置电路用于生成偏置电流和偏置电压，所述偏置电流用于给所述电流模比较器供电；

所述电流模比较器，用于接收所述偏置电压，并将所述偏置电压作为参考电压与输入电压进行比较，生成脉冲信号；

所述电流模比较器包括第二支路，所述偏置电路包括：第一支路、偏置电压产生电路和所述第二支路；其中，所述第二支路分别与所述偏置电压产生电路和所述第一支路并联连接，所述偏置电压产生电路用于产生所述偏置电压，所述第二支路用于接收所述偏置电压，并将所述偏置电压作为所述参考电压，所述偏置电路通过复用所述第二支路产生所述偏置电流。

2.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述第一支路包括：第一金属氧化物半导体MOS管和自共源共栅MOS管，所述自共源共栅MOS管包括：第二MOS管和第三MOS管，所述第一金属氧化物半导体MOS管通过所述第二MOS管连接至所述第三MOS管，所述第三MOS管连接至设备地，所述偏置电压产生电路连接至所述第三MOS管的漏极，所述偏置电压产生电路用于生成所述偏置电压，所述第二支路用于接收所述偏置电压，并将所述偏置电压作为所述电流模比较器的参考电压。

3.根据权利要求2所述的振荡器，其特征在于，所述偏置电压产生电路包括第一电流镜和第二电流镜，所述第一电流镜包括第四MOS管和第五MOS管，且第四MOS管与第五MOS管的镜像比率为1：k，所述第二电流镜包括第六MOS管和第七MOS管，且第六MOS管与第七MOS管的镜像比率为j：1，所述第四MOS管通过所述第七MOS管连接至所述第三MOS管的漏极，所述第五MOS管通过所述第六MOS管连接至所述设备地，以使所述偏置电压产生电路生成所述偏置电压，其中，k＞1，j＞1。

4.根据权利要求3所述的振荡器，其特征在于，所述第四MOS管与所述第一金属氧化物半导体MOS管组成第三电流镜，且所述第四MOS管与所述第一金属氧化物半导体MOS管的镜像比率为1：m，其中，m＞1。

5.根据权利要求3所述的振荡器，其特征在于，所述第二支路包括第八MOS管和第九MOS管，所述第八MOS管通过所述第九MOS管连接至所述第三MOS管的漏极，以使所述第二支路接收所述偏置电流，并将所述偏置电压作为所述电流模比较器的参考电压。

6.根据权利要求5所述的振荡器，其特征在于，所述第四MOS管与所述第八MOS管组成第四电流镜，且所述第四MOS管与所述第八MOS管的镜像比率为1：p，其中，p＞1。

7.根据权利要求6所述的振荡器，其特征在于，所述电流模比较器还包括第三支路，所述第三支路包括第十MOS管和第十一MOS管，所述第十一MOS管通过所述第十MOS管与所述输入电压的输入端相连，所述第三支路用于接收所述输入电压。

8.根据权利要求7所述的振荡器，其特征在于，所述第八MOS管与所述第十一MOS管组成第五电流镜，且所述第八MOS管与所述第十一MOS管的镜像比率为1：n，所述第九MOS管与所述第十MOS管组成第六电流镜，且所述第九MOS管与所述第十MOS管的镜像比率为1：n，其中，n＞1。

9.根据权利要求7所述的振荡器，其特征在于，所述第三支路还包括第一MOS电容，所述第十一MOS管通过所述第十MOS管和所述第一MOS电容连接至所述设备地，所述振荡器还包括充放电支路，所述电流模比较器的输出端通过所述充放电支路连接至所述第一MOS电容，所述充放电支路用于对所述第一MOS电容进行充放电，其中，所述第一MOS电容的电容电压为所述输入电压。

10.根据权利要求9所述的振荡器，其特征在于，所述第一MOS电容的电容电压为锯齿状信号，且所述电容电压的幅度等于所述偏置电压的电压值。