[发明专利]用于衬底的热处理的装置、用于该装置的载体和衬底支撑元件

权利要求书

1.一种用于衬底的热处理的装置（200），具有加热设备和设有用于承载衬底的支撑表面（108；212；304）的载体（100；203），其特征在于，载体（100；203）的至少部分由包括无定形基质成分和以半导体材料的形式的附加成分的复合材料产生，其中将作为加热设备的部分并且由当电流经过它时生成热量的导电电阻材料制成的导体路径（305；402；501；502；601；602）施加于载体（100；203）的表面。

2.根据权利要求1所述的装置（200），其特征在于，它具有载体（100；203）位于其中的处理腔（202），所述处理腔（202）具有处理腔壁，所述处理腔壁具有通过其将第一电位和第二电位传导至处理腔（202）中以用于电气接触导体路径（305；402；501；502；601；602）的电流引线。

3.一种用于衬底的热处理的载体（100；203），设有用于衬底的至少一个支撑表面（108；212；304），其特征在于，载体（100；203）的至少部分由包括无定形基质成分和以半导体材料的形式的附加成分的复合材料产生，并且将由当电流流过它时生成热量的导电电阻材料制成的导体路径（305；402；501；502；601；602）施加于复合材料的表面。

4.根据权利要求3所述的载体（100；203），其特征在于，它在支撑表面（108；212；304）的区中由复合材料产生。

5.根据权利要求3或4所述的载体（100；203），其特征在于，无定形基质成分是石英玻璃，并且在于，半导体材料以单质形式存在，其中半导体材料按重量的比例在0.1%至5%之间的范围中。

6.根据前述权利要求3至5中任一项所述的载体（100；203），其特征在于，导体路径（305；402；501；502；601；602）由铂、高耐热钢、钽、铁氧体FeCrAl合金、奥氏体CrFeNi合金或者由钼基合金产生并且具有在从0.01mm²至2.5mm²的范围中的截面积。

7.根据前述权利要求3至6中任一项所述的载体（100；203），其特征在于，它包括至少一个支撑元件（205；300；400；500；600），其具有支撑表面（108；212；304）以及顶侧和底侧（401），其中向顶侧分配支撑表面（108；212；304），并且向底侧（401）分配导体路径（305；402；501；502；601；602）。

8.根据前述权利要求3至7中任一项所述的载体（100；203），其特征在于，提供多个导体路径（305；402；501；502；601；602），所述导体路径中的每一个可单独电气控制。

9.根据前述权利要求3至8中任一项所述的载体（100；203），其特征在于，它被设计用于安放以水平取向的由半导体材料制成的晶片形状的衬底。

10.一种用于载体（100；203）的衬底支撑元件（205；300；400；500；600），所述载体（100；203）用于衬底的热处理，具有用于承载衬底的支撑表面（108；212，304），其特征在于，支撑元件（205；300；400；500；600）由包括无定形基质成分以及以半导体材料的形式的附加成分的复合材料产生，其中将由当电流经过它时生成热量的导电电阻材料制成的导体路径（305；402；501；502；601；602）施加于复合材料的表面。