[发明专利]操作用电磁阀安装结构及流体控制阀

说明书

一种操作用电磁阀安装结构，在包括操作口(131A)的缸体(131)安装对供给至缸体(131)的操作流体进行控制的操作用电磁阀(6)，其中，具有安装了操作用电磁阀(6)的安装块(2)、和与操作口(131A)的内螺纹(131AX)螺纹连接而将安装块(2)安装于缸体(131)的安装螺丝，安装块(2)形成有将操作流体供给至操作用电磁阀(6)的输入流路(2e)、供被操作用电磁阀(6)控制了的操作流体流动的输出流路(2f)、和供安装螺丝(3)贯通并连通于输出流路(2f)的贯通孔(2b)，在安装螺丝(3)中形成有使操作口(131A)与输出流路(2f)连通的内部流路(3h)，通过密封部件(5)和密封部件(10)将贯通孔(2b)的内壁与安装螺丝(3)之间密封。

技术领域

本发明涉及操作用电磁阀安装结构及流体控制阀，所述操作用电磁阀安装结构包括：具有操作口的缸体；和对供给至缸体的操作流体进行控制的操作用电磁阀。

背景技术

例如半导体制造装置通过向设置于反应室内的晶圆供给气体(控制流体的一例)而在晶圆上形成膜。膜的品质受气体供给量的影响。因此，在反应室中，在气体供给口处设置控制气体的流体控制阀。

例如，第一现有例的流体控制阀(例如参照专利文献1)由操作用电磁阀驱动。操作用电磁阀经由管路而与装备于流体控制阀处的驱动部的缸体连接。管路经由与缸体螺纹连接的接头而连接于缸体。在操作用电磁阀为非通电的情况下，该流体控制阀并不从管路向缸体供给操作流体，而是处于阀关闭状态。而一旦操作用电磁阀被通电，则流体控制阀就将操作流体从管路供给至缸体，从而驱动部驱动而使阀部成为阀打开状态。

另外，半导体的微型化、高密度化正在推进。相伴于此，在半导体制造工序中，开始采用了即使是几纳米的薄膜也能够精确地形成、即使是对纵横比高的部分也能够形成膜的ALD(原子层沉积)生产工艺。ALD生产工艺通过将气体的供给和排放反复进行多次来以纳米级尺度控制膜厚。在该情况下，流体控制阀以高频率进行阀打开关闭动作。另外，每一次的气体供给量变为少量。如第一现有例的流体控制阀那样，在操作用电磁阀与缸体通过管路相连的情况下，从操作用电磁阀到操作口的流路较长，阀打开关闭动作的响应性较差。

图12是第二现有例的流体控制阀201(例如参照专利文献2)的剖视图。流体控制阀201经由安装块210而将操作用电磁阀211安装于驱动部203的缸体206的上端部206C。安装块210以使得输出流路210B直接连接于缸体206的操作口206A的方式安装在缸体206上。

在流体控制阀201中，在操作用电磁阀211为非通电的情况下，操作流体不被输出至安装块210的输出流路210B中。在该情况下，活塞板213A，213B经由活塞轴209和阀杆231而被复位弹簧232向下推压，并使阀部202的隔膜221抵接于阀座222。而另一方面，在流体控制阀201中，若操作用电磁阀211被通电，则向安装块210的输入流路210A中输入的操作流体在操作用电磁阀211中被控制供给量，并被输出给安装块210的输出流路210B。操作流体经由形成于缸体206的操作口206A、保持孔206B、形成于活塞轴209的中央流路209A、连通流路209B、209C而被供给至缸体室207，对配置在固定板212的上下的活塞板213A、213B向与阀座222相反的朝向加压。由此，活塞板213A、213B抵抗复位弹簧232而使阀杆231上升，隔膜221在自身的反力的作用下变位到与阀杆231抵接的位置，从阀座222离开。

这样的流体控制阀201与用管路将操作用电磁阀和缸体连接起来的流体控制阀相比，操作用电磁阀211安装在操作口206A的近处，从操作用电磁阀211到操作口206A的流路短。因此，流体控制阀201能够响应性良好地进行阀打开关闭动作。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2014－109314号公报

【专利文献2】日本专利第5054904号公报

发明内容