[发明专利]指纹传感器和终端设备有效
申请号: | 201780001316.4 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN107980141B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 张孟文 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 孙涛;毛威 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 指纹 传感器 终端设备 | ||
本申请公开了一种指纹传感器和终端设备,包括:所述第一驱动电路,用于根据周期性的第一输入信号,产生周期性的驱动信号,所述第一输入信号和所述驱动信号的周期同为预定周期;每个第二驱动电路分别对应一列电压积分器,所述每个第二驱动电路用于根据第二输入信号,产生列选信号,所述列选信号用于控制对应的一列电压积分器的工作状态;其中,在所述第二输入信号为低电平时,所述列选信号为所述第二电压,在所述第二输入信号为高电平时,所述列选信号为所述第一电压;N列电压积分器的每个电压积分器用于接收所述驱动信号和对应的第二驱动电路产生的所述列选信号,根据所述驱动信号和所述列选信号对指纹电容进行充电或积分。
技术领域
本申请实施例涉及指纹检测领域,并且更具体地,涉及一种指纹传感器和终端设备。
背景技术
现有的指纹检测方案包括电容式指纹检测方案,根据打码的类型可以分为互容打码和自容打码。其中,自容打码方案相对互容打码方案在成本和功耗上有较大的优势,但是,由于自容打码的开关是芯片内部的金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)管,由于MOS管的耐压不高,因此,限制了输入信号的大小,也就不能通过提高输入电压得到提升信噪比(Signal-to-Noise Ratio,SNR),因此,需要一种指纹传感器,能够提高自容打码方式的SNR。
发明内容
本申请实施例提供了一种指纹传感器和终端设备,能够提高自容打码的打码电压,进而提升自容打码方式的SNR。
第一方面,提供了一种指纹传感器,包括第一驱动电路、N个第二驱动电路和N列电压积分器,所述N1;其中:
所述第一驱动电路,用于根据周期性的第一输入信号,产生周期性的驱动信号,所述第一输入信号和所述驱动信号的周期同为预定周期;
其中,在所述预定周期的第一时间段内,所述第一输入信号为高电平,所述驱动信号为第一电压,在所述预定周期内的其他时间段内,所述第一输入信号为低电平,所述驱动信号为第二电压,所述第一电压和所述第二电压均大于零,且所述第一电压小于所述第二电压;
每个第二驱动电路对应一列电压积分器,所述每个第二驱动电路用于根据第二输入信号,产生列选信号,所述列选信号用于控制对应的一列电压积分器的工作状态;
其中,在所述第二输入信号为低电平时,所述列选信号为所述第二电压,在所述第二输入信号为高电平时,所述列选信号为所述第一电压;
所述N列电压积分器的每个电压积分器用于接收所述驱动信号和对应的第二驱动电路产生的所述列选信号,根据所述驱动信号和所述列选信号对指纹电容进行充电或积分。
可选地,在本申请实施例中,所述低电平可以为零,所述高电平可以为所述第一电压,所述第二电压可以为所述第一电压的二倍,因此,本申请实施例的指纹传感器,所述第一驱动电路可以将打码电压提升为原来的两倍,因此,能够提升自容打码方式的SNR。
可选地,在本申请实施例中,所述N列电压积分器为M行N列电压积分器,即每列电压积分器包括M个电压积分器。
需要说明的是,所述指纹电容是用户按压所述指纹传感器产生的电容。
结合第一方面,在第一方面的某些实现方式中,所述第一驱动电路包括第一缓冲器、第一反相器和第一电容器;
所述第一反相器的输入端用于输入所述第一输入信号,所述第一反相器的输出端用于输出第一反向输入信号;
所述第一缓冲器的第一端用于输入所述第一电压,所述第一缓冲器的第二端与所述第一缓冲器的第四端连接,所述第一缓冲器的第三端用于输入所述第一反向输入信号,所述第一缓冲器的第四端用于输出所述驱动信号;
所述第一电容器的第一端与所述第一缓冲器的第四端连接,所述第一电容器的第二端与所述第一反相器的输出端连接。
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