[发明专利]含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、其制备方法、包含其的膜沉积用前体组合物和利用该组合物的膜沉积方法

说明书

本发明提供新型含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、制备所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的膜沉积用前体组合物和利用所述前体组合物沉积含第Ⅳ族金属元素的膜的方法。

技术领域

本发明涉及新型含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、制备所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的膜沉积用前体组合物和利用所述前体组合物沉积含第Ⅳ族金属元素的膜的方法。

背景技术

包含诸如钛(Ti)、锆(Zr)和铪(Hf)的第Ⅳ族金属元素的化合物也用作聚合物合成等的催化剂，或者包含第Ⅳ族金属元素的氧化物膜或氮化物膜(例如氧化锆膜、氮化钛膜等)作为高介电(high-k)物质或电极等而用于制造半导体器件。然而，在通过化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)或原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)形成含第Ⅳ族金属元素的膜的情况下，仍需要开发用于形成包含第Ⅳ族金属元素的均匀的膜的新型包含第Ⅳ族金属元素的化合物，尤其是仍需要开发能够有效地用作能够在具有微小的凹凸(槽)的衬底或多孔衬底中包括所述凹凸(槽)的表面和所述衬底的表面的整个表面上形成均匀的含第Ⅳ族金属元素的膜或薄膜的前体的新型含第Ⅳ族金属元素的化合物。

此外，韩国专利公开第2007-0121281号公开了“氧化锆薄膜沉积用有机金属前体及其制备方法。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供新型含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物、制备所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的方法、包含所述含第Ⅳ族金属元素的烷氧基化合物的膜沉积用前体组合物和利用所述前体组合物沉积含第Ⅳ族金属元素的膜的方法。

然而，本发明的技术问题并不限于以上提及的技术问题，本领域技术人员能够从下面的记载中能够明确理解没有提及的其它技术问题。

技术方案

本发明的第一方面提供由下列化学式1表示的含第Ⅳ族金属元素的化合物：

[化学式1]

在所述化学式1中，M是Ti原子、Zr原子或Hf原子，R¹至R⁴分别独立地为氢原子，或碳原子数为1至4的直链或支链烷基，R⁵和R⁶分别独立地为碳原子数为1至4的直链或支链烷基，n为1至3的整数。

本发明的第二方面提供制备由下列化学式1表示的含第Ⅳ族金属元素的化合物的方法，该方法包括使由下列化学式2表示的化合物和碳原子数为1至4的直链或支链醇R⁵OH和/或R⁶OH反应：

[化学式2]

在所述化学式中，M是Ti原子、Zr原子或Hf原子，R¹至R⁴分别独立地为氢原子，或碳原子数为1至4的直链或支链烷基，R⁷至R¹⁰分别独立地为碳原子数为1至4的直链或支链烷基，n为1至3的整数；

[化学式1]

在所述化学式1中，M是Ti原子、Zr原子或Hf原子，R¹至R⁴分别独立地为氢原子，或碳原子数为1至4的直链或支链烷基，R⁵和R⁶分别独立地为碳原子数为1至4的直链或支链烷基，n为1至3的整数。