[发明专利]使用了荧光体的发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其为具备固体光源和波长转换器件的发光装置，

其中，所述固体光源发出第一光，该第一光包含在480nm～550nm的范围内具有峰值波长的绿色光，

所述波长转换器件包含红色荧光体，该红色荧光体包含Ce作为发光中心，

所述红色荧光体至少被所述绿色光的一部分激发而发出第二光，

所述第二光的光谱在600nm～700nm的范围内具有峰值波长，

所述红色荧光体包含氮化物或氮氧化物作为基质材料，

所述波长转换器件中所包含的所有荧光体的1/e余辉值为100纳秒以下。

2.一种发光装置，其为具备固体光源和波长转换器件的发光装置，

其中，所述固体光源发出第一光，该第一光包含在480nm～550nm的范围内具有峰值波长的绿色光和在430nm～470nm的范围内具有峰值波长的蓝色光，

所述波长转换器件包含红色荧光体，该红色荧光体包含Ce作为发光中心，

所述红色荧光体至少被所述绿色光的一部分激发而发出第二光，

所述第二光的光谱在600nm～700nm的范围内具有峰值波长，

所述红色荧光体包含氮化物或氮氧化物作为基质材料，

所述波长转换器件进一步包含至少被所述蓝色光的一部分激发而发出第三光的荧光体，

所述第三光的光谱在500nm～600nm的范围内具有峰值波长，

从所述波长转换器件通过的所述绿色光与由所述波长转换器件射出的所述第二光的合成光的色度点满足0.48＜CIEx＜0.6和0.4＜CIEy＜0.49，

从所述波长转换器件通过的所述蓝色光与由所述波长转换器件射出的所述第三光的合成光的色度点满足0.15＜CIEx＜0.3和0.2＜CIEy＜0.36。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述绿色光的所述峰值波长为510nm～540nm的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述固体光源包含GaN系半导体激光装置。

5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述固体光源为激光二极管。

6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述红色荧光体包含基质材料，该基质材料包含除了Ce以外的镧系元素或Y。

7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述红色荧光体包含具有正方晶的晶体结构的基质材料。

8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述红色荧光体包含具有四方晶的晶体结构的基质材料。

9.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述红色荧光体含有具有化学组成Ce_xM_3-x-yβ₆γ_11-z的晶相，

M为选自Sc、Y、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种或两种以上的元素，

β包含50摩尔％以上的Si，

γ包含80摩尔％以上的N，

0＜x≤0.6，

0≤y≤1.0，

0≤z≤1.0。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述红色荧光体含有具有化学组成Ce_xM_3-xSi_6-qAl_qN_11-z的晶相，

0≤q≤2.0。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其中，所述红色荧光体含有具有化学组成Ce_xLa_3-xSi_6-qAl_qN_11-z的晶相，

0＜q≤2.0。