[发明专利]具有串联连接的增强模式栅极区域和耗尽模式栅极区域的异质结场效应晶体管器件有效
申请号: | 201780002470.3 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN107924917B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | H·Y·黄;N·德阿尔梅达布拉加;R·米克维科厄斯 | 申请(专利权)人: | 美商新思科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088;H01L29/778;H01L29/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 串联 连接 增强 模式 栅极 区域 耗尽 异质结 场效应 晶体管 器件 | ||
1.一种集成电路器件,包括异质结场效应晶体管器件,所述异质结场效应晶体管器件包括:
第一压电层,支撑沟道区域;
第二压电层,在所述第一压电层上方;
外源极;
外漏极;
中间源极;
中间漏极,与所述中间源极电连接;
电介质层,在所述第二压电层上方,在纵向上电分离所述外源极和所述外漏极,并且在纵向上具有多个区段,所述多个区段中的两个区段由第一间隙分离;
第一栅极,在所述外源极和所述中间漏极之间,并且具有连接到第一栅极接触的第一尖端,所述第一尖端在所述第一间隙内,所述第一间隙具有小于200nm的长度,其中在紧接在所述第二压电层下方的所述第一压电层中,在所述第一间隙正下方,所述电介质层中的应力产生至少1×1011/cm2电荷的压电电荷;和
第二栅极,在所述中间源极和所述外漏极之间,并且设置在所述电介质层中的第二间隙内,所述第二间隙在纵向上分离所述多个区段中的各区段,所述第二间隙具有至少500nm的长度,
其中所述第一栅极控制所述沟道区域的常关断区段,并且所述第二栅极控制所述沟道区域的常导通区段。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述第一压电层实质上为晶体的第一III-V族半导体。
3.根据权利要求2所述的集成电路器件,其中所述第一压电层实质上是单晶的。
4.根据权利要求2所述的集成电路器件,其中所述第一压电层实质上是多晶的。
5.根据权利要求2所述的集成电路器件,其中所述第二压电层实质上为晶体的第二III-V族半导体,所述晶体的第二III-V族半导体具有比所述晶体的第一III-V族半导体更宽的带隙。
6.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述电介质层实质上为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述第一栅极与所述第二栅极电连接。
8.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述第一栅极与所述第二栅极没有电连接。
9.根据权利要求1所述的集成电路器件,所述第一栅极具有连接到所述第一栅极接触的第二尖端,所述第二尖端设置在所述电介质层中的第二间隙中,所述电介质层的所述多个区段中的一个区段被设置在所述第一尖端和所述第二尖端之间,第二间隙具有小于200nm的长度。
10.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述第一压电层和所述第二压电层在异质结处相接,并且在所述第一尖端和所述异质结之间的最短垂直距离与在所述第二栅极和所述异质结之间的最短垂直距离实质上相同。
11.一种集成电路器件,包括异质结场效应晶体管器件,所述异质结场效应晶体管器件包括:
第一压电层,支撑沟道区域;
第二压电层,在所述第一压电层上方;
外源极;
中间漏极;
中间源极,电连接到所述中间漏极;
外漏极;
电介质层,在所述第二压电层上方,将所述外源极和所述中间漏极电分离,并且具有多个区段,所述多个区段中的两个区段由第一间隙分离;
第一栅极,设置在所述外源极与所述中间漏极之间,所述第一栅极具有连接到第一栅极接触的第一尖端,所述第一尖端在所述第一间隙内,所述第一间隙具有小于200nm的长度;和
第二栅极,设置在所述中间源极与所述外漏极之间,所述第二栅极设置在所述电介质层中的第二间隙中,所述第二间隙在纵向上分离所述多个区段中的各区段,所述第二间隙具有至少500nm的长度,
其中所述第一栅极控制所述沟道区域的常关断区段,并且所述第二栅极控制所述沟道区域的常导通区段。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美商新思科技有限公司,未经美商新思科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780002470.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:在可光刻蚀刻层中包括桥接的集成器件封装
- 下一篇:具有多电极控制的高压器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的