[发明专利]安装结构以及模块有效
申请号: | 201780002482.6 | 申请日: | 2017-02-01 |
公开(公告)号: | CN107924847B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 松丸幸平 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 安装 结构 以及 模块 | ||
本发明提供一种安装结构,具备:半导体装置,其具有第一端子;配线基板,其具有第二端子、配线以及感光性绝缘膜,上述第二端子与上述第一端子对置配置并具有第一端部,上述配线从上述第一端部的端面引出,上述感光性绝缘膜覆盖上述配线以及上述第一端部;以及凸块,其将上述第一端子与上述第二端子之间电连接。
技术领域
本发明涉及在配线基板上安装有半导体装置的安装结构以及具备该安装结构的模块。
本申请基于2016年2月29日向日本申请的特愿2016-038207号主张优先权,并将其内容引用至此。
背景技术
为了响应电子设备的小型化以及高速化的要求,在半导体装置的安装技术中也追求小型化以及高速化。对于倒装焊接而言,由于与引线焊接相比能够缩小半导体装置的安装面积并且缩短配线的长度的优点,所以在各种电子设备中作为半导体装置的安装方式采用。
倒装焊接是指使IC等半导体装置的多个端子与配线基板的多个端子对置并以面朝下的形式经由焊锡等的凸块将各端子一并连接的安装方式(例如,参照专利文献1)。为了保护配线,作为阻焊剂而设置有感光性绝缘膜。
专利文献1:日本特开2003-23243号公报
图9A以及图9B中示出现有技术的问题点。在图9A以及图9B中,从经由凸块16与半导体装置(图示省略)的端子21连接的配线基板(图示省略)的端子13延伸的配线12具有未被感光性绝缘膜15包覆的部分。在该情况下,配线12露出,从凸块16向配线12上产生焊锡的一部分的湿润扩展。若在较细的配线12上形成有突出部16a,则存在因突出部16a的热应力导致配线12断裂的担忧。另外,若焊锡从端子13湿润扩展至较细的配线12上,则焊锡的形状无法控制,存在失去凸块16的形状的对称性的担忧。特别是在半导体装置与配线之间传输高频信号的情况下,存在突出部16a成为振荡部、或成为短截线而使传输损失恶化的可能性,因而不优选。
若使感光性绝缘膜的开口小于配线基板的端子,则能够避免焊锡从端子向配线的湿润扩展。然而,在通过光刻法在配线基板上形成感光性绝缘膜时也需要与半导体装置的端子同等高的精度,结果导致配线基板的制造成本上升。
在专利文献1中记载了一项通过使感光性绝缘膜的开口大于配线基板的端子并利用感光性绝缘膜包覆露出的配线来防止焊锡的湿润扩展的技术。然而,该技术只在配线基板与感光性绝缘膜之间位置校准完全一致的情况下起效。在专利文献1的0035~0039段中存在端子尺寸为0.15~0.85mm、配线宽度为0.1~0.15mm之类的例示,但进行进一步的小型化,因设备的性能、偏差等产生的校准的偏移就会成为问题。即,若在端子与感光性绝缘膜之间校准发生偏移,则无法利用感光性绝缘膜覆盖配线整体,无法防止图9A以及图9B所示的焊锡向配线12上的湿润扩展。
在从端子沿基板的深度方向引出配线的情况下,即便感光性绝缘膜的开口从端子的位置偏移,配线也不会露出,因而能够防止焊锡的湿润扩展。然而,为了使配线基板多层化导致工序增加,制造成本上升。另外,在通过多层化从端子向下方引出配线的结构中,在利用凸块连接半导体装置的端子与配线基板的端子时,伴随着焊锡的凝固而在凸块的正下方产生收缩等的应力,因而存在连接的可靠性恶化的担忧。并且,多层结构成为利用导体夹着层间绝缘膜的结构,因而存在因电容(capacitance)成分的增加而使传输损失恶化的担忧。另外,若在导体间配置有绝缘膜,则引起传输至导体的信号的波长缩短,与不形成为多层结构的情况相比,频率特性发生变化,因而存在设计复杂化的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其课题在于提供能够容易地抑制凸块向配线上的湿润扩展的安装结构以及具备该安装结构的模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造